PMOS NMOS 导通条件（增强型，最常用）

PMOS & NMOS 导通条件（增强型，最常用）
1. NMOS（N 沟道 MOS 管）
导通：VGS > Vth
（栅极电压 比 源极电压 高，高过阈值电压）
简单记：
N 管：栅极高电平 → 导通
（G 比 S 高就通）
2. PMOS（P 沟道 MOS 管）
导通：VGS < -|Vth|
（栅极电压 比 源极电压 低，低过阈值绝对值）
简单记：
P 管：栅极低电平 → 导通
（G 比 S 低就通）
最实用口诀（电路必用）
N 管：高电平导通，低电平截止
P 管：低电平导通，高电平截止
画成 CMOS 逻辑更直观
上管：PMOS → 低电平导通
下管：NMOS → 高电平导通