MITSUBISHI三菱 RA60H3847M1-501 SMD 线性稳压器(LDO)
特性
·增强型MOSFET晶体管(Idd≈OA@Vds=12.5V, VGd=0V)
·输出功率>60W，效率>40%@Vo=12.5V, VDD=5V, Pin=50mW
·宽带频率范围:378-470MHz
·金属屏蔽结构，使杂散发射的改进变得简单
·模块尺寸:67x19.4x9.9 mm
·通过设置栅极电压来调节静态漏电流，并利用输入功率控制输出功率，实现线性工作。
特性
·增强型MOSFET晶体管(Idd≈OA@Vds=12.5V, VGd=0V)
·输出功率>60W，效率>40%@Vo=12.5V, VDD=5V, Pin=50mW
·宽带频率范围:378-470MHz
·金属屏蔽结构，使杂散发射的改进变得简单
·模块尺寸:67x19.4x9.9 mm
·通过设置栅极电压来调节静态漏电流，并利用输入功率控制输出功率，实现线性工作。