[15-1]FLASH闪存
同为闪存，它们的特性基本一样，写入前必须擦除，擦除必须以最小单位进行，擦除后数据位全变为1，数据只能1写0，不能0写1，除和写入之后都需要等待忙
地址只要以000、400、800、C00结尾的，都一定是页的起始地址，对吧
打一步 自的，都是为了防止误操作
也就是复位后，FLASH默认是锁着的
那编译器优化有什么用呢可以去除无用的繁杂代码，降低代码空间，提升运行效率，但优化之后，编译器在某些地方可能会弄巧成拙
比如，你想用变量计数空循环的方式实现延时函数，那编译器优化的时候，可能会说你这設延时函数好像没用啊，还自自浪费时间，给你优化掉了
另外，编译器还会利用缓存来加速代码，比如如果你要频繁读写內存的某个变量，那最常见的优化方式就是先把变量转移到高速缓存里来，在STM32内核里，有一个类似缓存的工作组寄存器，这些寄存器的访问速度最快，我先把变量放在缓存里，需要读写的时候，直接访问缓存就行了，用完之后，再写回内存，但是，如果你的程序里有多个线程，比如中断函数，在中断函数里，你改变了这个原始变量，那可能缓存并不知道你更改了，下次程序还看缓存的变量，就会造成数据更改不同步的问题，这时，我们的做法也是，读取变量定义的前面，加上一个volatile，告诉编译器这个变量是易变的，每次读取你都得执行到位，要直接从内存里找，不要再用缓存优化了，所以总结一下就是如果开启了编译器优化，在无意义加减变量，多线程更改变量，读写与硬件相关的存储器时，都需要加上volatile，防止被编译器优化，如果你默认，不开编译器优化，那就无所谓了，加不加都一样，所以这里，我们要直接读取存储器
使用指针写指定地址下的存储器，这个语句的意思就很明显了，左边，和上面一样，先给定地址，再强转为指针，最后指针取内容，这样就是指定地址的值，因为这个语句是写入数据，并且指定的是闪存的地址，闪存在程序运行时，是只读的，不能轻易更改，而我们本节需要对㭎存进行更改，这个所需的权限就比较高，需要提前解锁
SRAM在程序运行时是可读可写的
写入操作只能以半字的形式写入
STM32的闪存在写入之前会检查指定地址有没有擦除，如果没有擦除就写入，STM32则不执行写入操作，其中字，Word，就是32位数据，半字，HalfWord，就是16位数据，字节，Byte，就是8位数据
所以，如果你想像SRAM一样随心所欲的读写，那最好的办法就是先把闪存的一页读到SRAM中，读写完成后，再擦除一页，整体写回去
擦除之后，所有的数据位变为1，擦除的最小单位就是一页，1K，1024字节。除非写入的全是0，这一个数据是例外，因为不擦除就写入，可能会写入错误，但全写入0的话，写入肯定是没问题的