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LY62256BSL-45SLI 技术解析：32K×8低功耗SRAM

news 2026/6/23 12:30:41

一、芯片概述与产品代际

1.1 产品定位

LY62256BSL-45SLI是台湾来扬科技（Lyontek）推出的工业级低功耗 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）。它采用经典的32K×8bit 存储架构，总容量 256Kb（262,144 位），以 45ns 访问时间、1μA 典型待机电流（@25℃）和-40℃~+85℃工业级温度范围为特征，以 28 引脚 SOP/STSOP 封装提供，与业界标准 62256 SRAM 实现 Pin-to-Pin 引脚兼容，是嵌入式系统外扩存储的主流选择。

1.2 产品代际说明（重要）

根据来扬官方 PCN（Product Change Notice，产品变更通知），LY62256 系列产品已完成代际更替：

旧产品（EOL 停产）替代产品（当前在售）
┌─────────────────────────┐ ┌─────────────────────────┐
│ LY62256RL-xxLLb/xxSLb │ → │ LY62256BRL-45SLI │
│ LY62256SL-xxLLb/xxSLb │ → │ LY62256BSL-45SLI │
│ （xx = 35/55/70 class） │ │ （仅 45ns 速度档） │
│ （b = blank/E/I 温度） │ │ （统一工业级 -40~85℃） │
└─────────────────────────┘ └─────────────────────────┘

变更要点：

项目	旧型号（EOL）	新型号（当前）
型号标识	LY62256RL / LY62256SL	LY62256BRL / LY62256BSL
速度档	35ns / 55ns / 70ns	仅 45ns
温度等级	商业级(blank) / 扩展级(E) / 工业级(I)	统一工业级 I (-40~85℃)
代际后缀	无 B	带 B

二、核心电气参数

参数来源：Lyontek LY62256B Datasheet Rev.1.2 (March 2024)

2.1 基本参数表

参数项	符号	LY62256BSL-45SLI	LY62256BSL-55SLI	单位
存储架构	—	32,768 × 8	32,768 × 8	bit
总容量	—	256 (262,144)	256 (262,144)	Kb (bits)
读取访问时间	tAA	45	55	ns
写周期时间	tWC	45	55	ns
输出使能访问时间	tOE	20	25	ns
工作电压	VCC	2.7 ~ 5.5	2.7 ~ 5.5	V
数据保持电压	VDR	1.5 (min)	1.5 (min)	V
工作电流	ICC	12 (typ) / 18 (max)	10 (typ) / 15 (max)	mA
待机电流 ISB1 @25℃	ISB1	1 (typ) / 3 (max)	1 (typ) / 3 (max)	μA
待机电流 ISB1 @全温区	ISB1	7 (max)	7 (max)	μA
温度范围	TA	-40 ~ +85	-40 ~ +85	℃
封装类型	—	28-pin SOP / 28-pin STSOP	28-pin SOP / 28-pin STSOP	—
引脚兼容	—	标准 62256	标准 62256	—
操作模式	—	全静态，无需刷新	全静态，无需刷新	—
输出	—	三态输出	三态输出	—

2.2 逻辑电平参数

参数	条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入高电平 VIH	VCC=2.7~3.6V	2.2	—	VCC+0.5	V
输入高电平 VIH	VCC=4.5~5.5V	0.5VCC	—	VCC+0.5	V
输入低电平 VIL	VCC=2.7~3.6V	-0.5	—	0.6	V
输入低电平 VIL	VCC=4.5~5.5V	-0.5	—	0.8	V
输出高电平 VOH	IOH = -1.0mA	2.4	—	—	V
输出低电平 VOL	IOL = 2.1mA	—	—	0.4	V
输入漏电流 ILI	VCC ≥ VIN ≥ VSS	-1	—	1	μA
输出漏电流 ILO	输出禁用状态	-1	—	1	μA

⚠️SL与SLI后缀说明：手册中SL和SLI均为-40℃~+85℃工业级温度范围。区别在于待机电流的测试温度条件——SL在25℃下测试，SLI在40℃下测试，后者条件更严苛。

三、读写时序分析

3.1 读周期时序（Read Cycle）

LY62256B 支持三种读模式：

模式一：地址控制读（Address Controlled Read）

地址稳定后，数据在 tAA（≤45ns）内有效
/WE 必须保持高电平

模式二：/CE 控制读（Chip Enable Controlled Read）

/CE 拉低后，数据在 tACE（≤45ns）内有效
/OE 需配合为低电平
适合多片 SRAM 共享总线的场景

模式三：/OE 控制读（Output Enable Controlled Read）

/OE 拉低后，数据在 tOE（≤20ns）内有效
可用于总线冲突避免

读周期完整时序参数（45ns版本）：

参数	符号	最小值	最大值	单位
读周期时间	tRC	45	—	ns
地址访问时间	tAA	—	45	ns
/CE访问时间	tACE	—	45	ns
/OE访问时间	tOE	—	20	ns
/CE到低阻态	tCLZ	10	—	ns
/OE到低阻态	tOLZ	5	—	ns
/CE到高阻态	tCHZ	—	15	ns
/OE到高阻态	tOHZ	—	15	ns
输出保持时间	tOH	10	—	ns

3.2 写周期时序（Write Cycle）

支持两种写模式：

/WE 控制写（Write Enable Controlled）

/WE 低电平期间，配合有效地址和输入数据完成写入
写脉冲宽度 tWP ≥ 35ns（45SLI 版本）

/CE 控制写（Chip Enable Controlled）

/CE 低电平 + /WE 低电平共同控制写使能
适合多片选址场景

写周期完整时序参数（45ns版本）：

参数	符号	最小值	最大值	单位
写周期时间	tWC	45	—	ns
地址有效到写结束	tAW	40	—	ns
/CE有效到写结束	tCW	40	—	ns
地址建立时间	tAS	0	—	ns
写脉冲宽度	tWP	35	—	ns
写恢复时间	tWR	0	—	ns
数据建立时间	tDW	20	—	ns
数据保持时间	tDH	0	—	ns

⚠️关键设计注意：写周期中，地址建立时间 tAS = 0ns（地址可与/CE同时变化），数据建立时间 tDW ≥ 20ns。设计时需确保 MCU 的 FSMC/EMI 时序满足以上约束。

四、引脚定义与封装信息

4.1 引脚功能表

表格

引脚名	类型	功能描述
A0 ~ A14	输入	15位地址总线，可寻址32,768个存储单元
DQ0 ~ DQ7	双向	8位数据总线（输入/输出）
/CE (CE#)	输入	芯片使能，低电平有效
/OE (OE#)	输入	输出使能，低电平有效
/WE (WE#)	输入	写使能，低电平有效
VCC	电源	电源输入（2.7V ~ 5.5V）
VSS	地	接地（GND）

4.2 封装类型

数据手册 Rev.1.2 提供两种 28 引脚封装：

封装类型	引脚数	标称尺寸	引脚间距
SOP(330mil宽体)	28-pin	18.5mm × 8.6mm (MAX)	1.27mm
STSOP(薄型缩小型)	28-pin	11.8mm × 8.0mm (NOM)	0.55mm

SOP封装关键尺寸（手册值）：

符号	MIN	NOM	MAX	单位
D (长度)	—	—	18.491	mm
E (宽度)	—	—	8.636	mm
E1 (本体宽)	—	11.811±0.305	—	mm
A (高度)	—	—	3.048	mm
e (引脚间距)	—	1.270	—	mm

STSOP封装关键尺寸（手册值）：

符号	MIN	NOM	MAX	单位
D	11.60	11.80	12.00	mm
E	7.80	8.00	8.20	mm
HD	13.20	13.40	13.60	mm
A	1.00	1.10	1.20	mm
e	—	0.55	—	mm

⚠️重要：数据手册 Rev.1.2 已删除 28-pin 600mil P-DIP 封装，当前仅有上述两种 28 引脚表面贴装封装。

4.3 引脚排列示意图（28-pin SOP，顶视图）

┌──────────────────────────┐ VCC ─│ 28 27 │─ A12 /WE ─│ 26 25 │─ A7 A13 ─│ 24 23 │─ A6 A8 ─│ 22 21 │─ A5 A9 ─│ 20 LY62256B 19 │─ A4 A11 ─│ 18 17 │─ A3 /OE ─│ 16 15 │─ A2 A10 ─│ 14 13 │─ A1 /CE ─│ 12 11 │─ A0 DQ7 ─│ 10 9 │─ DQ0 DQ6 ─│ 8 7 │─ DQ1 DQ5 ─│ 6 5 │─ DQ2 DQ4 ─│ 4 3 │─ DQ3 VSS ─│ 2 1 │─ NC └──────────────────────────┘ ↓ Pin 1 标记侧

⚠️ 注：以上为根据功能框图和引脚描述整理的引脚排列示意图，用于开发参考。实际PCB设计请以Lyontek官方封装尺寸图（Package Outline Dimension）为准。

五、功耗特性与低功耗设计

5.1 功耗对比分析

以下对比 LY62256BSL-45SLI 与传统62256 的功耗差异：

参数	LY62256BSL-45SLI (CMOS)	传统CY62256 (CMOS)	提升幅度
工作电流 ICC @45ns	12mA (typ) / 18mA (max)	30~40mA	↓ 60~70%
待机电流 ISB1 @25℃	1μA (typ) / 3μA (max)	100~300μA	↓ 99.7%
待机电流 ISB1 @85℃	7μA (max)	500~1000μA	↓ 98.6%
数据保持电压	1.5V	2.0V	更低
工作电压范围	2.7~5.5V	4.5~5.5V	更宽

5.2 待机电流温度特性（手册值）

测试条件	封装	温度	典型值	最大值
/CE ≥ VCC-0.2V	SL	25℃	1μA	3μA
/CE ≥ VCC-0.2V	SLI	40℃	1.5μA	3.5μA
/CE ≥ VCC-0.2V	SL	-40℃~85℃	—	7μA
/CE ≥ VCC-0.2V	SLI	-40℃~85℃	—	12μA

5.3 电池续航估算

以3.3V / 1000mAh 锂电池供电、99%时间待机、1%时间工作的典型场景：

平均电流 = 99% × 1μA + 1% × 12mA ≈ 0.99μA + 120μA ≈ 121μA 续航时间 = 1000mAh / 0.121mA ≈ 8264 小时 ≈ 344 天（约11个月）

如果纯待机（不工作）：

续航时间 = 1000mAh / 0.001mA = 1,000,000 小时 ≈ 114 年（理论值）

💡设计建议：利用 /CE 引脚控制芯片使能，MCU 休眠前将 /CE 拉高进入待机模式，可将系统待机功耗降至 1μA 级别。

六、典型应用场景

6.1 按行业分类

🔧 工业控制（-40℃~+85℃ 全温区优势）

PLC控制器：梯形图程序缓存、I/O状态表
工业网关：Modbus/Profinet协议转换缓冲
DAQ模块：多通道ADC采样数据FIFO
运动控制：G-code解析缓存、插补数据

📡 通信设备

企业路由器：路由表Cache、ACL规则缓存
交换机：MAC地址表、VLAN配置缓存
基站BTS：小区参数、信道配置存储

🖨️ 消费电子

激光打印机：页面描述语言(PCL)解析缓存
POS终端：交易数据临时存储、掉电保护
安防DVR：视频帧缓冲、事件日志

🚗 汽车电子

车载IVI：音频缓冲、UI资源缓存
BCM模块：车身状态、故障码存储
T-Box：OTA升级包缓冲

🏥 医疗设备（低功耗+电池供电优势）

便携式心电图仪：ECG采样数据缓存
血氧仪：PPG信号缓冲
胰岛素泵：给药记录、报警日志

🔬 仪器仪表

数字示波器：波形采样数据缓存
频谱分析仪：FFT中间结果缓存
数据记录仪：多通道传感器数据FIFO

6.2 应用选型速查

应用需求	推荐型号	关键理由
电池供电/便携设备	LY62256BSL-45SLI	1μA待机电流 @25℃
严苛温度环境	LY62256BSL-45SLI	-40℃~+85℃，待机电流全温区≤7μA
频繁读写缓存	LY62256BSL-45SLI	无限写入寿命
5V/3.3V混合系统	LY62256BSL-45SLI	2.7~5.5V宽压兼容
高速数据采集	IS62C256AL-45	45ns + 更高IO驱动
小尺寸PCB	LY62256BRL-45SLI	STSOP薄型封装