MOSFET 场效应管笔记总结

MOS 和 PMOS的图形符号

1. mos管的组成S：source源极 D：Drain漏极 G：gate栅极
2. Nmos （NMOS:N-metal-Oxide-Semoconductor N型-氧化物-半导体 ）：栅极通过一层二氧化硅绝缘层与P衬底隔开，源极和漏极为高掺杂的N+区，提供自由电子以导电，而而P型衬底提供空穴。栅极加正电压时，P型衬底中的空穴被排斥，电子在栅下形成导电沟道，使电流从漏极流向源极。Pmos也是同理。
3. 箭头方向表示衬底与沟道之间的PN结方向。Nmos：P型衬底指向N型沟道 Pmos:N型衬底指向P型沟道
4. 载流子：Nmos 的载流子是电子 (negetive 负 自由电子) Pmos的载流子是空穴（Positive 正 空穴）
5. 载流子的流向 ：无论Mmo还是Pmos 都是源极流向漏极 .
6. 电流方向： Mmos ：源极流向漏极 ， Pmos : 漏极流向源极
7. 导通条件： Vgs 表示栅极和源极的压差 ： Vgs > 阈值电压 导通，相反则不导通，Nmos是高电压导通 ，Pmos的低压电导通
8. MOS晶体管的特点是导通电阻小、开关速度快。

应用：推挽输出电路

CMOS电路(Nmos和Pmos结合)

1. IN输入低电平，Pmos导通，Vout = OUT - 0.7 pmos 的电流方向D->S
2. IN输入高电平，Nmos导通，Vout = VSS nmos 的电流方向S->D