续流二极管：电机断电瞬间的“高压泄洪道”

短文标题：续流二极管：电机断电瞬间的“高压泄洪道”

你有没有想过一个问题：用MOS管驱动直流电机，MOS管关断时电机停了，但MOS管也可能烧了。为什么？因为电机绕组是电感。电流不能突变，断电瞬间产生高压反击——没有续流二极管，MOS管扛不住。

反电动势的破坏力，电机正常工作时电流路径：VCC→电机→MOS管→GND。MOS管关断（ns级），回路被切断。电感要维持电流，产生反向电压：V = L × di/dt实例计算：L=1mH，I=1A，dt=100ns → V = 1mH × (1A/100ns) = 10,000V！实际电路分布电容会吸收部分能量，但电压尖峰仍可达几十到几百伏，远超MOS管V(BR)DSS（通常30V~60V）。MOS管被击穿，烧毁。

续流二极管的工作原理，在电机两端反向并联一个二极管（阴极接VCC侧，阳极接MOS管侧）：

• MOS管导通时：二极管反偏，不起作用
• MOS管关断时：电机产生反电动势，二极管变为正偏导通

电流回路改变：电感电流→二极管→电感自身→形成闭合环流。能量在绕组内阻上消耗，MOS管两端电压被钳位在 VCC + 0.7V。续流二极管不是“阻挡”反电动势，是给它搭一座“泄洪道”。

二极管选型要点

推荐型号：SS34（3A/40V）、FR107（1A/1000V）、1N5819（1A/40V）。

肖特基导通压降低（0.3~0.5V），钳位效果更好。

位置很关键，续流二极管必须紧挨着电机驱动输出端（MOS管漏极和电源之间），越近越好。长导线会引入额外电感，削弱保护效果，反电动势尖峰仍然可能击穿MOS管。PCB布局时，二极管跨接在电机驱动输出端的两个焊盘上。

H桥中的续流，H桥驱动电机正反转，需要4个续流二极管（每个MOS管反向并联一个）。关断时，电流通过另一侧MOS管的体二极管或外部并联二极管续流。许多H桥芯片（TB6612、DRV8833、L298N）内部已集成续流二极管，使用前查数据手册确认。外接MOS管搭H桥时，续流二极管必须外置。

（本文灵感源于于振南《新概念ARM32单片机》教程第6.10节、第6.11节。）

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