内存价格凶猛上涨！三大原厂扩产遇阻，苹果难逃存储荒反噬

存储原厂开始“烧钱”

内存价格正经历一轮凶猛上涨。美国投行Jefferies预测，2026年第三季度内存价格环比涨40% - 50%，第四季度再涨30% - 40%，2027年全年同比上涨40% - 45%，涨势至少延续到2028年才会放缓。供应端，全球三大DRAM制造商三星、SK海力士和美光现有产能吃紧，一半总产能被“长期协议”锁死，同时也在扩产。美光已在美国等市场投资超1500亿美元新建产能，三星电子和SK集团宣布十年期投资计划，总规模2000万亿韩元（约合1.3万亿美元），三家合计投资预计超1.5万亿美元。因三巨头占据90%以上市场份额，引来了反垄断诉讼。

三星和SK集团的人工智能基础设施项目投资分散在多个领域，半导体是重点。三星计划在韩国西南部建设前道晶圆厂，在龙仁半导体集群再建晶圆厂，忠清南道天安和温阳建设先进封装基地，AI数据中心重点选址在忠清南道牙山。SK海力士计划在光州建设前道晶圆厂，在忠清北道清州扩建NAND闪存工厂。美光扩产在全球同步推进，美国本土是核心，还与ASML签了EUV供应协议。三家公司扩产都拉长时间、分摊负担，扩产速度受“结构性约束”，未来两三年供给端紧张大概率不缓解。

HBM成为战略筹码

比起传统DRAM，HBM更让下游厂商担忧，其需求逻辑与过去内存品类不同。6月，黄仁勋表示SK海力士到2030年存储晶圆产能翻倍计划不够，英伟达每年从SK海力士采购额达数十亿美元且将大幅增长。分析师fin测算，每张GPU的HBM容量需求年增长约40%，供给端产能增量为14%，DRAM单元密度增速9%，需求与供给差距增大，DRAM供给增速24%，增速差值16%。传统DRAM逆周期易巨亏，HBM绕开此陷阱，已从传统周期变为成长性周期，只要Transformer架构注意力机制不被颠覆，HBM指数级需求不停。

谁在争抢韩国产能？

6月，黄仁勋在韩国与SK集团相关人员举办“晚餐会”，确认英伟达新推出的Vera CPU将采用SK海力士DRAM，双方为今明两年“超大规模合作”做准备，当天还官宣多年期技术合作协议。今年3月，AMD的CEO苏姿丰首次访韩，首站到三星电子园区，双方签下谅解备忘录，三星将为AMD相关产品供应内存和开发定制化DRAM方案。内存正从通用部件变为需CEO争取的战略资源。

美光掀桌子，苹果遭反噬

这轮涨价潮中，美光态度强硬。美光首席商务官透露上一次行业低迷期无法投资扩产，部分原因是客户“定价激进”“最低价采购”，压负供应商毛利率，2023年许多行业投资叫停，“吐槽”客户被认为是苹果。苹果长期与供应商强硬议价，如今存储荒反噬自身。苹果CEO承认内存短缺是“百年一遇的洪水”，涨价“不可避免”，随后苹果对部分产品线提价，市值蒸发2650亿美元。苹果正游说华盛顿，希望获许可向长鑫采购内存。市场研究机构分析师认为苹果也无法幸免，最快2028年之后存储短缺或过去，内存“大宗商品时代”落幕，终端厂商未完全适应。