JESD51-14 具体测试流程

1. JESD51-14 具体测试流程

JESD51-14是测量RthJC（结到壳热阻）的 Transient Dual Interface Method 标准。

完整测试流程：

准备阶段：

1. 器件准备：清洁底壳表面，确保平整。
2. K系数标定：在多个温度点（例如 25℃~150℃）用小电流测量电压，拟合 ΔTj vs ΔV 曲线。
3. 选择加热功率 Pon（推荐使 ΔTj 在 40~80℃ 范围）。
4. 准备冷却板（水冷或恒温板），温度稳定。
5. 准备两种界面：
   • Dry：直接接触或极薄干膜。
   • Wet：标准导热硅脂（已知热导率，均匀涂覆）。

正式测试（两次）：

1. Dry 测试：

   • 安装器件 + Dry 界面，施加规定夹紧力。
   • 加热至热平衡（结温稳定）。
   • 切换到小测量电流，记录完整冷却曲线（电压-时间）。
   • 转换为 ΔTj(t) → 计算 Zth_Dry(t)。

2. Wet 测试