故障积累——RAM存储的

紫光PG3T500-6IFFBG676芯片出现CRC误码的FPGA 位置不固，且软复位后误码继续出现，客户端发现问题后定位到不同单板出现误码的bit 位不一致，且相同单板每次出问题的bit 位也不固定。

紫光目前发现失效和DRM 模块的VCC 与VCC_DRM 的压差强相关。测试显示当VCC＞
VCC_DRM 时没有失效，当VCC≤VCC_DRM 会有可能失效。

【写操作工作原理】：
如上图所示QB 由1 写为0 时，Bitline write drive NM0 和NM1 通过PG2 对QB 放电，
而PU2 则保持上拉，PU2 和PG2 竞争。PU2 属VCC_DRM 电源域，PG2、NM0 和NM1 属VCC 电源域。（VCC_DRM 电源域为SRAM 阵列电源域，IR drop 较小；VCC 电源域为FPGA core 电源域，IR drop 较VCC_DRM 大）
【写失效机理】：
1、当VCC＜VCC_DRM 的时候，会造成外部的写操作驱动变弱，当压差超过一定范围就
会导致写失效；
2、当N-MOS 管工艺偏慢的时候，会造成写驱动变弱；工艺偏差超出设计边界或有制造
缺陷的cell 可能出现写失效。
当上述两个条件有1 个或多个时出现时，都有可能导致写失效。