EUV 光源的工作机理
这张图是 EUV 光源系统的标准原理图，我按图上的标注，顺着光和锡的流动路径，把整个机理讲一遍。
一、先看整体结构分三层
图上从上到下分三层空间：
Fab Floor（洁净厂房层）以上：主体是 Vessel（光源腔体）和右边的 Scanner（扫描光刻机主体），这是产生和使用 EUV 光的地方。
Sub-fab Floor（下层设备层）：放的是 CO₂ system（CO₂ 激光系统），包括 Power Amplifiers（功率放大器）和 PP&MP Seed unit（种子激光单元）。
两层之间用 Beam Transport（光束传输）连接。
这种"激光在楼下、产光在楼上"的布局，正是 EUV 光源系统的典型结构。下面按工作流程讲。
二、第一步：CO₂ 激光的产生（图下方 CO₂ system）
看图最下面的 CO₂ system：
PP&MP Seed unit：产生种子激光。PP 是 Pre-Pulse（预脉冲），MP 是 Main Pulse（主脉冲）——图上明确标出了这两种脉冲的种子源，对应的是双脉冲技术。
Power Amplifiers（功率放大器）：把种子激光一级一级放大到极高功率（几十 kW 级）。图上画了好几个方块串联，就是多级放大。
所以这一层的作用是：产生并放大出高功率的 CO₂ 激光。
三、第二步：光束传输到腔体（Beam Transport）
图左边蓝色粗线标着 Beam Transport，从楼下的 CO₂ 系统一路向上、拐进腔体。
作用是：把楼下产生的高功率 CO₂ 激光，通过反射镜精密引导，传输到楼上的光源腔体（Vessel）里，最终对准腔体中心的焦点。激光要走这么长的路还保持精准对焦，本身就是精密工程。
四、第三步：锡液滴的供给（图上方绿框 Droplet Generator）
看图上方绿框里的 Droplet Generator（液滴发生器）：
它把熔融的锡喷成微米级液滴，图上画的是液滴从上往下、经过喷嘴射入腔体中心。
液滴连续、高频地喷向腔体中心的焦点位置（图中心红色星标处）。
作用：连续稳定地供给锡液滴，作为发光材料，精准送到激光焦点。
五、第四步：激光轰击液滴、产生等离子体发光（图中心红色星标）
这是最核心的一步。看图正中心的红色星形——那就是等离子体发光点，也是整个系统的焦点。
在这里发生的过程：
锡液滴落到焦点，先被预脉冲（PP）打成薄饼状；
再被主脉冲（MP，高功率 CO₂ 激光）轰击，把锡电离成高温高电离态等离子体；
高电离态锡离子（Sn⁸⁺~Sn¹⁴⁺）的电子跃迁，在 13.5nm 强烈发光。
图上从左边水平射入焦点的那条线，就是 CO₂ 激光；红星就是激光打中锡滴、产生 EUV 光的位置。图上还标了坐标轴 z（水平）和 x（垂直），表示这个焦点的空间位置。
六、第五步：收集镜聚焦 EUV 光（红框 Collector）
看图中心的红框弧形镜面 Collector（收集镜）：
它是一个椭球面的多层膜反射镜，放在等离子体发光点后方（左侧）。
等离子体向四面八方发出的 EUV 光，被这个弧形收集镜反射、聚焦，汇聚成一束向右会聚的光。
图上从红星发出、经收集镜反射后向右会聚的红色线条，就是被收集的 EUV 光路。
作用：把点光源发散的 EUV 光收集起来，聚焦到一个点，送往光刻机。
七、第六步：通过中间焦点送进光刻机（Intermediate Focus Unit）
看图中间偏右的 Intermediate Focus Unit（中间焦点单元，IF），画成一个蝴蝶结/漏斗形状：
收集镜聚焦后的 EUV 光在这里汇聚成一个中间焦点，穿过一个小孔。
这个点是光源腔体和扫描光刻机（Scanner）之间的分界和衔接点——EUV 光从这里离开光源、进入右边的光刻机主体。
八、第七步：进入 Scanner（右边光刻机主体）
看图右边的大框 Scanner：
EUV 光穿过中间焦点后进入扫描光刻机，后续经过照明系统、反射式掩模、投影物镜（都是反射镜），最终曝光晶圆。
图上还标了 metrology for source to scanner alignment（光源到光刻机的对准量测），用来保证光源发出的 EUV 光和光刻机光路精确对准。
FIB+TEM+SEM打样代工：