ICM创芯微 CM1003-BGD DFN1.9x1.6-6 BMS电池保护芯片

特性
高精度电压检测功能
过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V，精度 ±25mV
过充电解除电压 3.100V ~ 4.600V，精度 ±45mV
过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±50mV
过放电解除电压 2.000V ~ 3.400V，精度 ±100mV
放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V，精度 ±5mV
短路保护电压 0.065V ~ 0.500V，精度 ±60mV
充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V，精度 ±5mV
内部检测延迟时间
过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s，精度 ±30%
过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s，精度 ±30%
放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s，精度 ±30%
充电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms，精度 ±30%
1.5μA（典型值）(Ta = +25°C)
50nA（最大值）(Ta = +25°C)
0.5μA（典型值）(Ta = +25°C)