TPS61185EVM-335评估板解析：多通道LED背光驱动设计实战指南

1. 项目概述与核心价值

如果你正在为笔记本或平板电脑的LCD屏幕设计背光驱动电路，那么TPS61185这颗芯片以及它的评估模块TPS61185EVM-335，绝对是你绕不开的一个经典参考方案。我手头这份2010年的官方评估板用户指南，虽然年代有些久远，但其中蕴含的设计思路、参数考量以及工程实现细节，对于今天从事中小尺寸显示背光电源设计的工程师来说，依然极具参考价值。它的核心价值在于，将一个看似复杂的多通道WLED（白光LED）驱动问题，通过一个高度集成的单电感升压转换器架构优雅地解决了。

简单来说，TPS61185是一个专为笔记本背光设计的电源管理芯片。它内部集成了一个高效的升压（Boost）DC-DC转换器，能够将笔记本电池提供的较低电压（比如7V到24V）提升到足以驱动一串或多串LED所需的高电压（典型值35V左右）。更关键的是，它集成了多达8个独立的、可精密调节的电流源（Current Sink），每个通道都能独立控制一串LED的电流，从而实现均匀的背光亮度和灵活的调光控制。评估模块TPS61185EVM-335就是将这颗芯片及其所有外围电路做在一块板子上，方便工程师快速上手测试、测量性能，并以此为基础进行自己的电路设计。

为什么我们今天还要看这样一个“老”方案？因为尽管芯片型号在迭代，但升压驱动LED的基本原理、PCB布局的电磁兼容性（EMC）考量、热设计要点以及系统级的调试方法，其底层逻辑是相通的。这份文档就像一份“标准答案”，展示了在给定芯片和约束条件下，一个可靠的工程实现应该长什么样。接下来，我将结合这份官方指南和我个人的一些设计经验，为你深入拆解这个评估模块的设计精髓、实操要点以及那些数据手册里不会明说的“坑”。

2. TPS61185EVM-335核心电路设计解析

评估模块的电路图是整个设计的蓝图。虽然原文档只提供了一张概要图，但我们可以结合物料清单（BOM）和典型应用电路，还原出关键部分的设计意图。TPS61185的核心架构是“单电感升压 + 多路恒流源”，这个架构决定了其性能和设计的方方面面。

2.1 升压转换器功率链路设计

功率链路是转换效率、输出能力和稳定性的基础，主要包括电感、功率开关、续流二极管和输入输出电容。

2.1.1 电感选型：效率与尺寸的平衡点

模块选用了一颗10µH、直流电阻（DCR）为90mΩ、饱和电流为1.49A的电感（L1）。这个选型非常典型，是基于芯片的开关频率和预期工作电流计算而来的。

• 电感值计算逻辑：TPS61185的开关频率（fSW）由R2（604kΩ）电阻设定在约1MHz。在升压拓扑中，电感值（L）直接影响电感上的电流纹波（ΔIL）。纹波电流过大，会增加电感的磁芯损耗和开关管的导通损耗；纹波电流过小，则需要更大的电感量，体积和成本会增加。通常，设计时会令纹波电流为最大输入电流的20%-40%。根据文档中给出的典型工作条件（VIN=12V， VOUT=35V， IOUT=155mA），我们可以反推输入电流大约在0.5A左右（考虑85%效率）。那么，20%-40%的纹波电流就是0.1A到0.2A。根据升压电路的电感计算公式 L = (VIN * D) / (fSW * ΔIL)，其中占空比 D = (VOUT - VIN) / VOUT ≈ 0.66，代入计算可得L大约在40µH到80µH之间。模块选择的10µH看起来偏小，这会导致纹波电流更大。
• 设计考量：选择更小的电感（10µH）通常出于两个原因：一是物理尺寸更小，符合笔记本轻薄化的需求；二是在1MHz的高频下，较小的电感有利于提高电路的瞬态响应速度。但代价是纹波电流增大，对输入电容的滤波要求更高，且可能略微影响效率。这就需要后续的输入电容选型来配合。文档也提到，如果想在更低的输入电压下工作，可以选用饱和电流更大的电感，这说明电感的饱和电流余量是应对峰值电流、防止磁饱和的关键。
• 实操心得：在实际项目中，电感选型绝不能只看感量。饱和电流（Isat）和温升电流（Irms）是两个更关键的参数。必须确保在最大负载、最低输入电压（此时输入电流和电感峰值电流最大）的极端情况下，电感的工作电流远低于其饱和电流，通常留有20%-30%的余量。同时，DCR会影响效率，尤其是在大电流时。模块选用的90mΩ DCR在0.5A输入电流下会产生约225mW的铜损，需要评估其温升。

2.1.2 输入输出电容：稳定性的基石

输入电容（C1， C3）和输出电容（C2， C4）的角色不同，选型也各异。

• 输入电容（C1， 4.7µF + C3， 0.1µF）：其主要作用是提供低阻抗的开关电流回路，吸收由电感和大电流开关动作产生的高频纹波电流。C1（1206封装， 25V， X7R）是主储能电容，而C3（0603封装， 0.1µF）是高频去耦电容，通常紧靠芯片的VIN和PGND引脚放置，用于滤除MHz级别的开关噪声。X7R材质提供了较好的容值稳定性和温度特性。
• 输出电容（C2， 4.7µF + C4， 1.0µF）：在升压拓扑中，输出电容的作用是平滑输出电压，降低负载瞬态变化时的电压过冲或跌落。由于输出端接的是LED这样的恒流负载，且芯片本身是电流控制模式，对输出电容的容值要求相对宽松。C2（1206， 50V）耐压更高，以适应可能的过压保护（OVP）动作（文档提到OVP时电压可能到40V）。C4作为额外的高频滤波。
• 注意事项：务必关注陶瓷电容的直流偏压效应。一个标称4.7µF的X5R/X7R电容，在施加了直流电压（如35V）后，其实际有效容值可能会下降50%甚至更多。因此，在计算输出纹波电压时，应以电容在直流偏压下的实际容值为准。模块选用50V耐压的电容，在35V工作点下容值衰减会相对小一些，这是一个稳妥的设计。

2.1.3 续流二极管（D1）

D1选用的是肖特基二极管（SS2P5， 2A， 50V）。在同步整流技术普及之前，升压电路在开关管关断期间，依靠二极管为电感电流提供续流路径。肖特基二极管因其低正向压降（Vf）和快速反向恢复特性，能显著降低这部分的损耗。2A的电流规格为最大电感峰值电流提供了充足余量。

2.2 反馈与控制网络参数设定

这部分电路决定了系统的关键工作点，如LED电流、开关频率、过压保护阈值等。

2.2.1 LED电流设定（R1）

TPS61185的每个电流通道的基准电流由连接在ISET引脚和地之间的电阻R1决定。计算公式为 I_LED = 2000 / R_ISET (kΩ)，其中I_LED单位为mA。模块选用R1=64.9kΩ，代入公式可得单路LED电流约为 2000 / 64.9 ≈ 30.8mA。文档中表格给出的总输出电流（8路）为155mA，即单路约19.4mA，这里存在差异。实际上，这个公式是一个近似值，更精确的设定需要查阅芯片数据手册中的图表。但设计逻辑是清晰的：通过一个高精度电阻（模块使用1%精度），可以精确设定所有8路电流源的基准，确保各串LED亮度一致。

2.2.2 开关频率设定（R2）

R2（604kΩ）连接在FSW引脚和地之间，用于设定内部振荡器的频率。频率越高，可以选用更小的电感和电容，但开关损耗会增加，影响效率。1MHz是一个在尺寸和效率之间折衷的常用频率，适用于对厚度敏感的便携设备。

2.2.3 过压保护（OVP）阈值设定（R3， R4）

R3（1.00MΩ）和R4（54.9kΩ）组成分压网络，监测升压后的输出电压（VOUT）。当VOUT超过设定的OVP阈值时，芯片会关闭开关管，保护后续的LED和电路。OVP阈值 V_OVP = 1.229V * (1 + R3/R4)。代入计算：V_OVP = 1.229 * (1 + 1000/54.9) ≈ 1.229 * (1 + 18.21) ≈ 23.6V。这个值似乎与文档中提到的OVP激活时VOUT可能达到36-40V不符。这里需要特别注意：这个OVP电路监测的可能是升压转换器自身的反馈点电压，而非直接监测VOUT引脚。在实际设计中，必须根据芯片数据手册的明确公式和连接方式来计算电阻值，模块的取值为我们提供了一个参考比例。

2.2.4 PWM调频模式设定（R5）

R5（715kΩ）连接在FPWM引脚，当芯片不采用外部同步PWM信号调光，而是使用内部扩频调光模式时，此电阻设定内部PWM振荡器的频率。这用于在特定调光频率下避免与屏幕刷新率产生可察觉的干扰。

3. 评估模块硬件接口与配置详解

TPS61185EVM-335板载了丰富的连接器和跳线，这不仅是用于测试，更揭示了芯片各个功能引脚在实际系统中应如何连接和控制。理解这些接口，就等于理解了芯片的应用电路。

3.1 电源与测量接口（J1， J2， J3）

• J1（VIN）和 J3（GND）：直流电源输入正负极。文档特别强调，连接输入电源线时，应将正负线双绞并尽量缩短。这是一个非常重要的EMC实践，目的是减小输入电流环路的面积，从而降低辐射电磁干扰（EMI）。
• J2（S+/S-）：这是一个开尔文（Kelvin）检测接口。S+和S-分别连接到输入滤波电容C1的两端。这样做的目的是为了精确测量真正加到芯片输入引脚上的电压，避免了连接导线电阻上的压降引入的测量误差。在评估效率时，使用这个接口进行电压测量能得到更准确的结果。

3.2 LED连接与电流测量接口（J4， JP1， JP5-JP12）

这是模块的核心功能接口，配置方式决定了LED如何被驱动和监测。

• J4（14-Pin Connector）：这是一个标准接口，用于直接连接TI的另一款LED评估板（WLEDEVM-260），方便快速搭建测试系统。在实际产品设计中，这个接口会被替换为直接连接LCD面板的LED灯条接口。
• JP1（LED ON）：这是一个关键跳线。当使用外部LED灯条时，移除跳线帽，将升压输出（VOUT）从跳线的一端引出，另一端接LED灯串的正极。当使用J4连接器（即WLEDEVM-260）时，必须插上跳线帽，这样才能将VOUT连接到J4，进而为LED供电。如果移除了跳线帽又未连接外部LED，升压电路会因失去反馈而进入过压保护（OVP）状态，输出电压会升高到OVP阈值。
  • 电流测量技巧：文档提到，可以取下JP1的跳线帽，将一个电流表（万用表电流档或电流探头）串联在跳线的两个引脚之间，这样可以测量总的LED电流（8路之和）。这是评估整体功耗和效率的便捷方法。
• JP5-JP12（IFBx 通道连接）：这8个3针跳线对应芯片的8个电流反馈引脚（IFB1-IFB8）。每个跳线有三种配置状态：
  1. 引脚1-2短接：将对应的电流通道连接到J4连接器（即连接WLEDEVM-260上的LED串）。这是最常用的测试配置。
  2. 引脚2-3短接：将对应的电流反馈引脚（IFBx）接地。对于未使用的电流通道，必须如此配置，以防止引脚浮空导致不可预测的行为。
  3. 不插跳线帽，从引脚2引出：将IFBx引脚连接到自定义的外部LED灯串的阴极（即电流检测点）。这是产品设计时的标准用法。

3.3 控制信号接口（JP2， JP3， JP4）

• JP2（EN）：使能控制。短接到ON（VDD），芯片工作；短接到OFF（GND），芯片关闭。重要提示：文档指出，虽然评估时可以将EN直接接到未稳压的VDD来上电即工作，但在实际产品中不推荐这样做。产品中应使用主控芯片的GPIO来控制EN，以实现时序管理和节能开关。
• JP3（PWM）：调光控制输入。短接到VDD，LED以100%满亮度工作。如果需要调光，则需要从此处输入一个外部PWM信号。信号高电平需大于2.1V（逻辑高），但不能超过6V，频率建议在100Hz到20kHz之间，以避免人眼可察觉的闪烁并保证调光线性度。
• JP4（MODE）：调光模式选择。这是一个非常实用的功能选择。
  • 短接（MODE接地）：选择“同步模式”。此时，每个LED电流通道的开关频率和占空比，完全跟随JP3输入的外部PWM信号。这是最直接的模拟调光方式。
  • 开路（浮空）：选择“异步模式”或“内部扩频模式”。此时，LED电流通道的开关占空比由外部PWM信号的占空比决定，但开关频率则由FPWM引脚上的电阻R5设定。这种模式可以将LED的开关噪声频谱展宽，有助于降低特定频率点的EMI峰值，更容易通过电磁兼容测试。

4. 基于评估模块的完整测试流程与实操

拿到一块评估板，如何快速上手验证其功能并测量关键性能？下面结合文档和我个人的测试经验，梳理一个标准的实操流程。

4.1 测试设备准备与连接

1. 可调直流电源：要求能提供7-24V电压，最大输出电流能力建议至少2A，以应对启动和瞬态需求。设置电流限制在1.5A左右作为保护。
2. 电子负载或LED负载：最理想是使用配套的WLEDEVM-260，它模拟了真实的LED灯串。如果没有，可以自己搭建，例如用8串每串3-5颗白光LED串联，并在每串上串联一个采样电阻（如1Ω）来间接测量电流。绝对禁止在输出端直接接电子负载的恒阻（CR）或恒压（CV）模式，因为TPS61185是电流型驱动，输出端需要的是电流通道，直接接电阻性负载可能导致芯片损坏。
3. 数字万用表：至少两台，一台监测输入电压/电流，一台监测输出电压。
4. 示波器：必备。用于观察开关节点（SW）波形、电感电流（需电流探头）、输入输出纹波、PWM调光信号等。
5. 函数发生器：如果需要测试PWM调光功能，需要一台能产生0-5V方波信号的函数发生器。

硬件连接步骤：

1. 断电连接：确保所有设备电源关闭。
2. 连接负载：将WLEDEVM-260通过J4连接到评估板，或将自定义的8串LED分别连接到JP5-JP12的中间引脚（引脚2），LED串的阳极连接到JP1的一端。
3. 配置跳线：
   • JP1：如果使用J4连接器，短接；如果使用外部LED，准备串联电流表或直接连接。
   • JP2：短接到ON，使能芯片。
   • JP3：先短接到VDD，测试全亮。
   • JP4：根据测试需求选择短接（同步模式）或开路（内部频率模式）。
   • JP5-JP12：对于使用的通道，短接引脚1-2（接J4）或连接外部LED；对于不用的通道，短接引脚2-3到地。
4. 连接电源：将直流电源的正负极分别连接到J1（VIN）和J3（GND）。强烈建议使用双绞线。
5. 连接测量仪器：将万用表表笔连接到J2（S+/S-）进行精确输入电压测量，另一台万用表测量TP1（VOUT）对地电压。示波器探头地线夹在J3（GND）测试点附近，探头尖端准备测量各测试点。

4.2 上电测试与关键波形测量

1. 缓慢上电：将直流电源电压先设到最低（如7V），电流限制定在1A。打开电源。
2. 观察现象：LED应被点亮。如果使用电流表在JP1处测量，应能看到总电流在155mA左右（取决于R1设定）。
3. 测量关键波形（使用示波器）：
   • 开关节点（SW）波形：将探头点在芯片的SW引脚或电感L1与二极管D1的连接点。你应该能看到一个频率约为1MHz的方波。重点观察其上升沿和下降沿是否干净、陡峭，有无严重的振铃（Ringing）。过大的振铃意味着寄生电感或电容问题，会产生EMI并可能造成电压应力超标。
   • 电感电流波形：如果有电流探头，套在电感L1上。可以看到一个三角波或梯形波（在连续导通模式CCM下）。测量其峰值和谷值，计算纹波电流ΔIL，验证是否与设计预期相符。纹波电流过大可能使电感饱和或增加损耗。
   • 输入电压纹波：将示波器探头（使用接地弹簧或最短的接地引线）跨接在C1电容两端（或使用J2接口）。观察在开关频率及其谐波处的噪声幅度。通常要求纹波电压峰峰值在输入电压的1%-2%以内。
   • 输出电压纹波：将示波器探头跨接在输出电容C2两端。由于是恒流驱动LED，输出电压纹波通常较小。观察其稳定性。
4. 效率测量：在稳态下，同时记录输入端的电压（V_in）和电流（I_in），以及输出端的电压（V_out）和总电流（I_out）。效率 η = (V_out * I_out) / (V_in * I_in)。在不同输入电压（如8V， 12V， 16V， 20V）和负载下测量，绘制效率曲线。注意，输入功率测量点应在J2（开尔文检测点），以排除线损。

4.3 PWM调光功能测试

1. 连接函数发生器：将函数发生器的输出端连接到JP3的PWM引脚，地线接GND。
2. 设置PWM信号：设置信号为方波，高电平3.3V或5V，低电平0V。频率先从1kHz开始，占空比从100%逐步下调。
3. 观察调光效果：LED的亮度应随占空比线性变化。用示波器观察任意一个IFBx引脚（如TP2-TP5）的电压，你会看到一串与PWM信号同步的电流脉冲。
4. 测试调光频率影响：逐步提高PWM频率至几百Hz、几千Hz。在某个频率点（通常几百Hz）以上，人眼将无法察觉闪烁，但需要用示波器或光电探头验证。同时，测试极低频率（如100Hz以下）下的调光线性度，可能会变差。
5. 测试MODE跳线：对比JP4短接和开路时，在相同外部PWM信号下，用示波器观察SW节点波形或输入电流波形。在异步模式下，你可能会观察到LED的开关频率与PWM信号不同，这有助于分散EMI能量。

5. 从评估板到产品设计：PCB布局的黄金法则

评估板的PCB布局（见文档图2-4）是一个绝佳的教学案例。它采用双面板设计，所有元件放在顶层，便于观察和探测。虽然产品设计可能采用更小的尺寸和更多层，但其布局原则是通用的。

5.1 功率回路最小化

这是开关电源布局的第一要义。对于TPS61185的升压电路，存在两个高di/dt（电流变化率）的功率回路：

1. 输入电容放电回路：当芯片内部高边开关管导通时，电流路径为：输入电容C1正极 → 电感L1 → 芯片SW引脚（内部开关管）→ 芯片PGND引脚 → 输入电容C1负极。这个回路应尽可能小。评估板将C1、L1、U1紧密放置，并通过顶层的宽走线连接，底层在对应区域用大面积敷铜作为回流平面，完美实践了这一原则。
2. 续流回路：当开关管关断时，电流路径为：电感L1 → 续流二极管D1 → 输出电容C2及负载 → 芯片PGND（或系统地）→ 电感另一端。这个回路同样需要最小化。评估板中D1紧靠L1和C2放置。

实操心得：在你自己设计时，务必使用“铺铜”而不是“走线”来连接这些功率元件。并且，确保输入电容的GND、芯片的PGND和输出电容的GND，通过一个集中的、低阻抗的点（通常是一个大的铺铜面）连接在一起，避免形成“地弹”噪声。

5.2 敏感信号线的保护

• 反馈网络（R3， R4）：连接在VOUT和FB引脚之间的分压电阻，走线要远离噪声源（如电感、二极管、SW走线）。评估板中这条走线非常短，且被地平面包围。
• 电流设定电阻（R1）和频率设定电阻（R2， R5）：这些连接到芯片模拟小信号引脚的电阻，其接地端应单独接到芯片的模拟地（AGND）或一个安静的地平面区域，避免功率地噪声干扰。
• IFBx走线：这些走线将LED串的阴极电流检测电压反馈回芯片。它们应成对、等长、靠近走线，并用地线进行屏蔽，以防止噪声耦合导致各通道电流不一致。

5.3 热设计考虑

文档警告部分提到，某些元件（如线性稳压器、开关管、电流检测电阻）在工作时温度可能超过85°C。虽然TPS61185将功率MOSFET集成在内，减少了外部发热点，但电感L1和续流二极管D1仍然是主要热源。

• 电感选择：选择DCR小、磁芯损耗低的电感。
• 二极管选择：选择低Vf的肖特基二极管。
• PCB散热：在电感、二极管和芯片底部（如果允许）的PCB区域，放置大量的过孔连接到内部或底层的地平面。这些过孔可以作为热通孔，将热量传导到PCB背面散发。评估板在芯片和电感周围都放置了过孔阵列。
• 布局通风：避免将发热元件放在密闭空间或彼此紧贴。评估板的布局将发热元件分散布置，有利于空气对流散热。

6. 常见问题排查与调试经验实录

即使按照评估板一模一样的设计，在实际调试中也可能遇到各种问题。下面分享一些典型故障现象和排查思路。

6.1 问题一：上电无输出，LED不亮

• 排查步骤：
  1. 检查供电：用万用表测量J1和J3之间是否有电压？电压值是否正确（7-24V）？电源电流限流是否设得太低导致保护？
  2. 检查使能：确认JP2跳线是否正确短接到ON（VDD）？可以用万用表测量EN引脚（JP2中间引脚）对地电压，是否高于2.1V的使能阈值？
  3. 检查VDD：TPS61185有一个内部LDO，为内部电路供电。测量芯片VDD引脚（通常有一个小滤波电容）对地电压，正常应在5-6V左右。如果没有VDD，可能是芯片损坏或输入电压过低未达到UVLO（欠压锁定）释放阈值。
  4. 检查SW波形：用示波器测量SW引脚。如果完全没有开关动作，可能是芯片未工作或损坏。如果有开关动作但频率异常，检查FSW引脚电阻R2是否焊接良好。
  5. 检查反馈：确认JP1跳线是否正确连接？如果使用外部LED，是否形成了完整的回路？确认所有使用的LED通道（JP5-JP12）跳线配置正确，未使用的通道是否已接地？

6.2 问题二：LED闪烁或亮度不稳定

• 排查步骤：
  1. 检查输入电压：输入电压是否在芯片工作范围（7-24V）内？如果输入电压过低，接近UVLO阈值，可能导致芯片间歇性重启。用示波器观察输入电压是否有大幅跌落，特别是在开关瞬间。
  2. 检查负载：确认LED灯串的连接是否牢固？是否有虚焊或接触不良？某一路LED开路会导致该通道电流异常，可能引发芯片保护或亮度不均。
  3. 检查PWM信号：如果使用了PWM调光，检查PWM信号是否稳定？频率是否在推荐范围内（100Hz-20kHz）？用示波器观察PWM引脚波形，确保高电平足够高（>2.1V），上升沿干净。
  4. 测量各通道电流：使用精密的毫欧电阻（如0.1Ω）串联在每一路LED的阴极到地之间，用示波器或万用表测量电阻两端的电压，换算成电流。比较各通道电流是否一致。差异过大可能是IFBx走线受干扰，或芯片个别通道有差异。

6.3 问题三：效率低于预期或芯片发热严重

• 排查步骤：
  1. 测量点确认：效率测量是否准确？务必使用开尔文检测法测量输入电压，以排除线损。
  2. 检查SW波形：观察SW节点的上升/下降沿是否缓慢？是否有严重的振铃？缓慢的边沿会导致开关管在切换过程中长时间处于线性区，产生巨大的开关损耗。振铃则意味着寄生参数过大，可能产生额外的损耗和EMI。优化布局，缩短功率回路是根本解决方法。
  3. 检查电感：电感是否选型合适？在最大负载、最低输入电压下，用电流探头测量电感电流波形，看其峰值是否接近或超过电感的饱和电流？电感是否烫手？饱和的电感会失去感量，导致电流急剧上升，效率骤降并可能损坏芯片。
  4. 检查二极管：续流二极管D1的温升是否异常？测量其正向压降是否与规格书相符？过高的Vf会导致续流期间损耗增加。
  5. 检查负载：确认LED灯串的总正向电压（Vf）是否在合理范围内？如果Vf过高，导致升压占空比过大（接近90%），转换效率也会自然下降，这是升压拓扑的特性决定的。

6.4 问题四：输出电压异常升高（触发OVP）

• 排查步骤：
  1. 检查LED连接：最常见的原因是LED负载未正确连接或开路。当LED全部断开或某一路开路且反馈失效时，升压电路为了试图拉高电流，会不断升高输出电压直至触发OVP。首先检查JP1跳线、J4连接器或外部LED连接是否可靠。
  2. 检查反馈网络：检查OVP分压电阻R3和R4的阻值是否正确，焊接是否良好。用万用表测量FB引脚电压，在正常工作时，它应该稳定在芯片的反馈基准电压（例如1.229V）附近。如果FB引脚电压为0，可能是反馈网络断路。
  3. 测量VOUT：在OVP触发时，用示波器测量VOUT电压。它会上升到一个平台（如38V），然后停止开关或进入打嗝模式。这属于正常保护行为，重点应排查负载开路问题。

调试开关电源，示波器是你最好的朋友。养成习惯，在关键测试点（VIN， SW， VOUT， 电感电流， FB）预留测试焊盘或使用细探头进行测量，通过波形分析问题往往比盲目更换元件更有效。TPS61185EVM-335评估板将所有这些关键节点都引出了测试点（TP1-TP6），这正是为了便于调试，在实际产品设计时，也应尽量保留关键信号的测试点。