可兼容issi低功耗SRAM/nvSRAM的STT-MRAM替代嵌入式存储方案

作为高性能工业级存储方案，RAMSUN推出的S3R8016并口STT-MRAM，是一款容量8Mbit的并行异步接口全随机存取存储器，可精准对标并替代同功能FRAM、低功耗SRAM及nvSRAM芯片，适配各类传统存储替换场景。

issi低功耗SRAM产品支持x16、x8两种I/O工作模式，兼容性极强，同时采用44TSOP2、54TSOP2、48FBGA等多项工业标准封装规格，可直接兼容主流硬件设备，无需大幅修改电路设计，有效降低研发与改造成本。相较于传统存储芯片，S3R8016的核心亮点在于全程非易失性数据存储，搭配近乎无限的读写耐用特性，彻底解决传统低功耗SRAM断电数据丢失、nvSRAM续航受限等产品缺陷。

依托非易失、高稳定、低功耗的特性，这款STT-MRAM芯片广泛适用于工业控制场景，可稳定承担代码存储、实时数据记录、设备数据备份、系统运行内存等核心工作，适配复杂工业工况的长期稳定运行需求。

目前多数嵌入式设备的主流存储方案，均采用“NOR闪存+SRAM”组合模式：依靠NOR闪存完成程序代码存储，同时搭配SRAM作为数据缓冲区、高速缓存使用。以低端智能手机为代表的终端设备，长期依赖该双芯片架构，但存在硬件冗余、功耗偏高、稳定性不足等问题。

而STT-MRAM可实现单芯片替代传统双芯片架构，一颗芯片即可同时覆盖NOR闪存代码存储、低功耗SRAM高速缓存的双重功能，极大简化嵌入式系统架构，精简设备硬件结构，在降低整体功耗的同时，提升设备运行的稳定性与集成度，是当下嵌入式存储升级的优选方案。RAMSUN代理EVERSPIN、NETSOL等多个MRAM品牌，如需了解更多低功耗SRAM替代方案、STT-MRAM产品详情，可搜索了解。