短波红外（SWIR，通常指900-1700nm波段）成像技术，因其能穿透雾霾、透视硅片、识别物质材质等独特能力，在半导体检测、光伏探伤、安防监控、生物医疗及航空航天等领域具有不可替代的价值。然而，一个令人深思的现实是：尽管中国已成为全球最大的红外探测器市场之一，市面上能实现核心元器件与整机全面国产化的短波红外相机却凤毛麟角。这一现象的背后，并非单一技术短板所致，而是一张由产业链历史格局、核心零部件依赖、市场需求分化与国产替代艰难爬坡共同编织的复杂图景。
一. 进口元器件的“先发优势”与路径依赖
全国产短波红外相机稀缺的首要原因，在于国外电子元器件产业的先发优势所构筑的坚固壁垒。
短波红外相机的核心是InGaAs（铟镓砷）焦平面探测器，它决定了相机的灵敏度、分辨率和成本。除此之外，FPGA（现场可编程门阵列）芯片、DDR内存、USB3.0/CameraLink等高速数据传输接口的PHY芯片，以及高精度模拟前端芯片，都是构成一台高性能相机的关键器件。欧美发达国家在这些领域起步早、投入大、迭代快，形成了成熟且稳定的供应链。其产品不仅性能参数领先、质量一致性高，且因大规模量产而具备显著的成本优势。对于大多数短波红外相机制造商而言，直接采购这些成熟、可靠的进口元器件来搭建系统，是风险最低、研发周期最短、市场接受度最高的商业路径。这种长期的“路径依赖”，使得国内厂商在整机层面缺乏切换至全国产方案的商业动力。
二. 国产化的“单点突破”与“系统鸿沟”
尽管整体局面受制于人，但近年来国产短波红外产业链已在核心环节实现了令人瞩目的“单点突破”，然而从“单点”到“系统”的鸿沟依然巨大。
在核心探测器层面，国产化已取得长足进步。以中科院上海技术物理研究所、中电44所为代表的科研机构，以及国惠光电、睿创微纳、中科德芯等企业，已成功研制并量产了从320×256到1280×1024甚至更高分辨率的InGaAs焦平面探测器，部分性能指标正逼近国际先进水平。同时，以量子点（QDs）、锗硅（GeSi）为代表的新型短波红外探测技术路线也在蓬勃兴起，为低成本、高性能的国产化提供了全新可能。
然而，问题在于“其他配件”的国产化生态尚不完善。探测器只是相机的一部分。高性能、低噪声的国产模拟前端芯片、国产FPGA、以及能满足高速图像数据可靠传输的国产接口芯片，其可选范围和成熟度远不及进口产品。一位工程师在选择全国产方案时，往往面临这样的困境：好不容易选定了国产探测器，却发现与之匹配的国产时序驱动芯片和电源管理芯片性能略有不足，或者缺乏经过充分验证的国产FPGA开发工具链支持。这种 “木桶效应”，使得整机厂商要推出一款全国产相机，就必须花费巨大的研发投入去逐一进行技术验证、兼容性测试和稳定性优化，导致研发周期拉长、研发成本飙升，且产品性能在初期可能难以与成熟的进口方案匹敌。
三、 市场需求的“冷热不均”制约全国产化进程
商业回报是技术选择的最终指挥棒。全国产短波红外相机之所以稀少，还因为其市场需求的“冷热不均”。
目前，短波红外相机的核心需求市场主要集中在国防军工、航空航天、高端工业检测（如半导体晶圆、光伏EL检测）等领域。在这些对成本相对不敏感但对可靠性、性能极致追求的领域，更倾向于选择进口品牌或采用进口核心器件的成熟方案。对于“全国产”这一标签，除涉及国家安全的特定项目有硬性要求外，多数民用市场并未将其作为首要考量因素。
相反，在消费电子、汽车激光雷达、食品分选等对成本极其敏感的潜在巨大市场中，传统InGaAs探测器高昂的价格（单颗芯片可达数万元）成为普及的最大障碍。虽然全国产化理论上能降低成本，但在初期，小批量生产的全国产相机成本甚至可能高于采用成熟进口器件的产品，这使其在市场竞争中毫无优势。因此，除了满足“必须全国产”的特定订单外，厂商缺乏投入巨资去研发和推广一款在主流市场上“叫好不叫座”的全国产相机的商业动机。这种市场正反馈机制的缺失，严重延缓了全国产化从“政策驱动”向“市场驱动”的转变。
四、阿秒科技：全国产化的实践样本
正是在这样的艰难背景下，北京阿秒科技有限公司（Attostek）推出的SWIR1503BG-NC短波红外相机，才显得弥足珍贵。它被定位为“市场上为数不多的高灵敏高速的全国产短波红外相机”，这一定位的含金量不言而喻。
该相机是国内为数不多的自主可控等级可以达到完全自主可控的相机，完全满足《军用电子元器件自主可控评估通用准则》《武器装备使用国产电子元器件“伪、空、包”产品判定准则（试行）》的要求，支持客户拆开相机进行追一部件验证。该相机适用于激光光斑分析、实时过程监控等多种应用场景，可在工业和科研领域提供可靠、精准的成像性能，已在中国计量科学研究院、南方科技大学等多家单位长期稳定使用。
4.1 元器件供应商
该相机元器件均来自国内知名头部企业，核心供应商列表如下：
| 序号 | 元器件/部件名称 | 型号规格 | 制造商 | 制造商国别 | 单台整机使用数量 |
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1 |
感光芯片 |
SWF640-ACME(DIP) |
昆明物理研究所 |
中国 | 1个 |
| 2 |
数据接口PHY芯片 |
YT8531H-CA |
裕太微 |
中国 | 1个 |
| 3 |
FPGA芯片 |
PH1A90SEG325I2 |
安路科技 |
中国 | 1个 |
| 4 |
ADC芯片 |
GAD2174 |
地芯科技 |
中国 | 1个 |
| 5 |
DDR4芯片 |
GDQ2BFAA-CQ |
兆易创新 |
中国 | 1个 |
| 6 |
单片机芯片 |
GD32F303RET6 |
兆易创新 |
中国 | 1个 |
| 7 |
单端运放芯片 |
SC7510KAKUMY |
上海芯炽 |
中国 | 5个 |
| 8 |
差分运放芯片 |
SC7516KAKUMY |
上海芯炽 |
中国 | 4个 |
4.2量子效率图
4.3 SWIR1503BG-NC相机规格
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传感器类型 |
InGaAs CMOS |
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光谱范围 |
900nm – 1700nm |
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分辨率 |
0.33 MP (640×512) |
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像元尺寸 |
15 µm x 15 µm |
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靶面尺寸 |
3/4″ |
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ADC |
14-bit |
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QE |
75%@1350nm |
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转换增益 |
138.6e⁻/ADU(LG)，5.54e⁻/ADU(MG)，1.2e⁻/ADU (HG) |
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动态范围 |
70.59dB(LG)，67.96dB(MG)，47.98dB(HG) *1 |
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读出噪声 |
586.82e(LG)，35.05e(MG)，68.44e(HG) |
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满井容量 |
1986426.78e(LG)，87649.83e(MG)，17147.351e(HG) *1 |
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最大信噪比 |
62.98dB(LG)，49.43dB(MG)，42.34dB(HG) |
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暗电流 |
30fA@0.1V&18℃ |
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曝光时间范围 |
16µs~5s |
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快门模式 |
全局快门 |