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施密特触发器:带迟滞特性的比较器,有效消除噪声、稳定输出!

施密特触发器:消除噪声、稳定输出的比较器设计,应用广泛且优势显著

施密特触发器是一种内置迟滞特性的比较器电路,它利用两个开关阈值来消除噪声,确保输出稳定转换。该触发器广泛应用于信号调理、波形整形,以及稳健的数字和模拟电路设计中。

2026年7月27日。阅读时长:17分钟

核心要点

  • 施密特触发器是内置迟滞特性的比较器,正反馈使输入越过不同阈值时输出才切换,迟滞窗口内噪声不会致反复切换。
  • 反相运算放大器施密特触发器阈值:V(TH) = (R1 / (R1 + R2)) × V(sat),V(TL) = (R1 / (R1 + R2)) × (−V(sat)),迟滞宽度V(H) = (2 × R1 / (R1 + R2)) × |V(sat)|。
  • 同相施密特触发器:V(UT) = +(R1 / R(f)) × V(sat),V(LT) = −(R1 / R(f)) × V(sat),迟滞为2 × (R1 / R(f)) × |V(sat)|。
  • 分立双极结型晶体管(BJT)施密特触发器:两个共用发射极电阻的晶体管产生迟滞,典型电阻值可产生约0.4 V迟滞。
  • 互补金属氧化物半导体(CMOS)施密特触发器反相器:SN74HC14在4.5 V电源下,典型正阈值约2.5 V,负阈值约1.6 V,迟滞范围约0.4 V至2.1 V;单门的SN74LVC1G14支持1.65 - 5.5 V电源,在5.5 V时,典型V(T+)为2.61 - 3.33 V,V(T⁻)为1.87 - 2.29 V,迟滞为0.71 - 1.11 V。
  • 带迟滞的比较器集成电路(IC):LM393双比较器工作电压为2 - 36 V,大信号响应约为300 ns,小信号响应为1.3 µs;TLV3201微功耗比较器传播延迟为40 ns,内置1.2 mV内部迟滞,工作电压为2.7 - 5.5 V。

引言:为何要给比较器添加迟滞特性?

标准比较器输入越过参考电压时切换输出状态,有噪声或缓慢变化的模拟信号在参考电压附近徘徊时,输出会抖动,产生不必要转换、浪费功率、可能误触发。

1934年,奥托·施密特在测量神经元信号时加入正反馈解决问题,使电路在不同阈值电平下切换,形成双稳态传输曲线。施密特触发器在输入信号边缘缓慢或有显著噪声时,也能产生干净数字输出。

迟滞特性对嵌入式系统很重要,可对机械开关去抖、整形波形、防止采样模拟电平时振荡、实现简单振荡器。本文提供施密特触发器设计的工程参考,探讨迟滞原理,推导阈值电压,研究分立晶体管实现方案,比较集成CMOS施密特触发器反相器,讨论带可调迟滞的比较器IC,介绍实际应用。

推导阈值

假设运算放大器输出正饱和+V(sat),R1和R2构成的分压器设置同相输入电压,反相输入V(IN)越过该电压时输出翻转,可得V(TH) = (R1 / (R1 + R2)) × V(sat)。

运算放大器饱和于−V(sat)时,同理可得V(TL) = (R1 / (R1 + R2)) × (−V(sat))。

迟滞电压V(H) = V(TH) − V(TL) = (2 × R1 / (R1 + R2)) × |V(sat)|,与电子学教材一致,阈值电压与电阻分压器比率成正比,实际阈值可能略低于计算值。

设计示例

反相施密特触发器用±5 V电源轨,V(sat)约4.5 V,选R1 = 10 kΩ,R2 = 30 kΩ,R1 / (R1 + R2) = 0.25,V(TH)约+1.13 V,V(TL)约−1.13 V,迟滞V(H)约2.25 V。减小迟滞可相对R2减小R1值,要确保阈值范围宽于最大噪声幅度防抖动。

同相施密特触发器

同相施密特触发器利用正反馈防输出抖动,输入越过上限阈值时输出切换到高电平,降至下限阈值以下保持高电平,确保干净数字转换。

电路配置

同相施密特触发器中,输入信号通过电阻R1加到运算放大器同相端,反相端接地或参考电压,反馈电阻R(f)将输出连回同相输入。正反馈极性相反,输出高电平时提高阈值,低电平时降低阈值。参考电压为地且输出在±V(sat)间摆动时,此配置有用。该运算放大器拓扑与差分放大器相关,差分放大器用类似电阻网络组合输入信号,而非产生迟滞。

阈值推导

利用叠加原理,同相输入端电压V(+)是输入和反馈电压总和,切换点将V(+)设为反相参考电压(地)求解,得V(LT) = −(R1 / R(f)) × V(sat) ,V(UT) = +(R1 / R(f)) × V(sat)。

迟滞宽度V(H) = V(UT) − V(LT) = 2 × (R1 / R(f)) × |V(sat)|,阈值符号与反相配置相反,在过零检测器和正弦波转方波转换器中受欢迎。

设置特定阈值

期望上限阈值为V(UT),下限阈值为−V(UT)(对称情况)时,比率R1 / R(f)应等于V(UT) / V(sat)。如±5 V电源轨(V(sat)约4.5 V)和期望±1 V阈值,选R1 / R(f) = 0.22,再选合适电阻值,如R1 = 22 kΩ,R(f) = 100 kΩ。检测正电压电平,可将反相输入端偏置到参考电压,推导新阈值表达式。

选择迟滞和电阻值

设计时,迟滞宽度应超输入噪声最大预期幅度且足够小保持灵敏度。大迟滞提高抗噪性但增加传播延迟、可能使模拟波形转换失真;迟滞过小则噪声导致抖动。选择电阻值关键考虑因素如下:

设计因素指导建议
迟滞宽度反相设计由R1​/(R1​+R2​)设置,同相设计由R1​/Rf​设置。比率越大,迟滞越大。对于噪声为±100 mV的传感器,设计VH​至少为±200 mV。在集成反相器中,迟滞由器件几何结构固定。
输入偏置电流实际的运算放大器和比较器具有有限的偏置电流和输入失调电压。将电阻值保持在10 kΩ至100 kΩ范围内,以尽量减小它们对阈值电压的影响。
输出驱动具有开集电极输出的比较器(如LM393)需要上拉电阻。其值与负载电容一起设置传播延迟;上拉电阻过大,会使上升沿变慢。
参考电压对于必须检测高于地的输入电平的单电源电路,使用电阻分压器将反相输入端偏置到参考电压(如电源的一半),并更新VTH/VTL方程以包含该参考电压。

分立BJT施密特触发器

分立BJT施密特触发器用双极结型晶体管实现带迟滞开关动作,用于信号调理。

双晶体管发射极耦合电路

经典基于晶体管的施密特触发器用两个双极结型晶体管(BJT),发射极通过电阻R(E)连在一起,集电极驱动互补输出节点。一个晶体管Q1基极接收输入信号,另一个晶体管Q2通过电阻将集电极连回Q1基极形成正反馈。V(IN)低时,Q1截止,Q2导通,输出拉低;V(IN)足够高使Q1导通时,R(E)上电压降增加,Q2截止,输出上升。迟滞因Q1导通或截止改变发射极电压,改变开关所需基极 - 发射极电压。

工作原理

Q2导通且输出低时,发射极节点电压由通过R(E)的电流决定,输入超约0.6 V加上发射极电压Q1才导通。Q1导通使Q2截止,发射极节点电压降至接近地,切换回来输入须降至新的较低发射极电压以上约0.6 V。上下限阈值差异等于发射极电压变化,即通过R(E)的电流乘以电阻,调整R(E)或集电极电阻可改变迟滞。小信号晶体管几百欧姆R(E)可产生约0.3 - 0.5 V迟滞,适用于TTL电平信号。设计者要适当设置晶体管电流,电流过大减小迟滞,过小可能导致电路振荡。

设计示例

用NPN BJT的分立施密特触发器,R(C1)和R(C2)为10 kΩ,R(E)为1 kΩ,反馈电阻R(F)为100 kΩ。输入上升时,Q1在发射极电压以上约0.6 V导通。假设Q2导通时发射极电流为1 mA,发射极电压为1 mA × 1 kΩ = 1 V,输入超约1.6 V输出切换到高电平。切换后,发射极电流降至约0.1 mA,发射极电压降至约0.1 V,输入降至约0.7 V以下输出切换到低电平,迟滞约0.9 V,调整R(E)可根据应用调整迟滞窗口。

集成CMOS施密特触发器

集成CMOS施密特触发器用互补金属氧化物半导体技术构建,实现可靠带迟滞信号切换。

反相器

分立晶体管电路体积大且需偏置,现代逻辑系列在紧凑型CMOS逻辑门中构建施密特触发器功能,提供固定迟滞和快速切换,适合数字接口和波形调理。

SN74HC14(HC逻辑系列)

SN74HC14是带施密特触发器输入的六反相器,工作电压2 - 6 V,抗噪性高。数据手册列出不同电源电压下正向开关阈值V(T+)和负向阈值V(T−):V(CC) = 4.5 V时,典型V(T+)为2.5 V(最大3.13 V),典型V(T−)为1.6 V(最大2.45 V),迟滞ΔV(T)范围0.4 V至2.1 V;V(CC) = 2 V时,阈值相应降低。传播延迟适中,4.5 V时典型t(pd)约12 ns,最大25 ns,适用于清理5 V逻辑系统中缓慢边缘和有噪声信号。

SN74LVC1G14(LVC逻辑系列)

德州仪器的SN74LVC1G14是微型封装单施密特触发器反相器,工作电压1.65 - 5.5 V,输出驱动能力±24 mA。数据手册强调明显正(V(T+))负(V(T−))阈值提供迟滞。V(CC) = 5.5 V时,正向阈值2.61 - 3.33 V,负向阈值1.87 - 2.29 V,迟滞0.71 - 1.11 V;V(CC) = 3 V时,V(T+)为1.5 - 1.87 V,V(T−)为0.84 - 1.16 V,迟滞0.56 - 0.87 V。3.3 V时传播延迟通常1.5 ns,最大不超4.6 ns,适合与微控制器和现场可编程门阵列(FPGA)接口。

CD40106 / MC14584(4000系列CMOS)

CD40106B(也叫MC14584B)是六级CMOS施密特触发器反相器,工作电压范围3 - 18 V。与74HC器件比,迟滞大,适用于高噪声环境或缓慢模拟波形。数据手册显示,V(DD) = 5 V时,正触发阈值V(P)范围约2.2 V至3.6 V,负触发阈值V(N)范围0.9 V至2.8 V。迟滞电压V(H)在5 V时最高可达1.6 V,在15 V时可达3.5 V。较大余量使CD40106能抑制显著噪声,但电源电压高、器件几何结构大,传播延迟高,通常几十纳秒。

MC74HC14A(HCT变体)

安森美的MC74HC14A是74HC14变体,属HCT系列,输入阈值与TTL兼容。数据手册显示,V(CC)约5 V时,正向阈值V(T+)约1.2 V至2.1 V,负向阈值V(T−)约0.5 V至1.4 V,整个温度范围内迟滞范围0.4 - 1.5 V。与TTL兼容的阈值使MC74HC14A在CMOS逻辑与传统5 V TTL设备接口时有用。

四种CMOS施密特触发器反相器比较如下:

器件电源范围VT+​ / VT−​(典型值,5 V)迟滞传播延迟
SN74HC142 - 6 V2.5 V / 1.6 V0.4 - 2.1 V4.5 V时典型值约12 ns
SN74LVC1G141.65 - 5.5 V2.61 - 3.33 V / 1.87 - 2.29 V(5.5 V时)0.71 - 1.11 V3.3 V时典型值1.5 ns
CD40106 / MC145843 - 18 V2.2 - 3.6 V / 0.9 - 2.8 V5 V时最高可达1.6 V;15 V时为3.5 V几十纳秒
MC74HC14A~5 V(TTL)1.2 - 2.1 V / 0.5 - 1.4 V整个温度范围内0.4 - 1.5 V与74HC14相当

带迟滞的比较器IC

这些IC用于比较两个输入电压,内置迟滞功能,防快速切换和对噪声敏感。

带外部迟滞的LM393

LM393是双路、低失调电压比较器,可在2 V至36 V单电源或高达±18 V双电源下可靠运行,典型电源电流约0.4 mA,适合低功耗应用、仪器系统和传感器接口电路。

LM393无内置迟滞,需在比较器输出和同相输入(或参考节点)间连外部反馈电阻R(H)引入正反馈,产生两个不同开关阈值,防止输出因小输入波动或电气噪声快速切换。

LM393开集电极输出,需外部上拉电阻,常用约4.7 kΩ电阻,在快速输出上升时间和低功耗间平衡,具体值可根据电源电压和负载要求调整。

TLV3201:带内部迟滞的微功耗比较器

德州仪器的TLV3201为电池供电系统设计,单通道高速、低功耗比较器,工作电压2.7 - 5.5 V,传播延迟40 ns,电源电流40 µA。内置1.2 mV内部迟滞提高抗噪性,防止输入接近阈值时振荡,不干扰高速信号。比较器轨到轨,输入共模范围可超出任一电源200 mV,可检测接近电源轨信号。设计者可用电阻添加外部迟滞扩大触发窗口,适合高速脉宽调制监测、过零检测和混合信号系统电平转换。

应用

施密特触发器用于机械开关去抖、整形有噪声模拟波形、干净过零检测,可作张弛振荡器产生方波,调理传感器信号输入。

开关去抖

机械开关和按钮按下或释放时会抖动,简单的RC滤波器后接施密特触发器反相器可消除抖动。RC时间常数应超过机械抖动持续时间,如10 ms,10 kΩ电阻与1 µF电容串联可实现。电容连接到74HC14输入,缓慢充电和放电,反相器迟滞确保RC节点上噪声或残余振荡不使输出切换,直到电压明确越过阈值。数字设计者有时用SR锁存器去抖,高可靠性设计中,用两级施密特触发器反相器和下拉电阻使电容放电,可提高噪声容限。

过零检测和信号整形

交流测量系统需检测正弦信号过零点,同相施密特触发器比较器可完成任务。对称检测时,用相等电阻比率将阈值设置在零附近的±V(UT)。如检测峰 - 峰值为5 V、噪声为±50 mV的正弦波过零点,选V(H) = 200 mV,±5 V电源轨和±4.5 V饱和电压,电阻比率R1 / R(f)应满足2 × (R1 / R(f)) × V(sat) ≈ 0.2 V,解得R1 / R(f) ≈ 0.022,选R1 = 2.2 kΩ和R(f) = 100 kΩ可得±100 mV阈值。TLV3201等比较器或有高转换速率和内部迟滞的运算放大器适合快速过零检测。

施密特触发器可整形传感器或振荡器输出,将三角波或正弦波转换为干净方波,否则输出会在交叉点附近抖动。

张弛振荡器

张弛振荡器用施密特触发器反相器和RC网络产生周期性方波。反相器输出和输入间连电阻R和电容C形成定时网络,输出高电平时,电容通过R向V(CC)充电;电容电压达上限阈值V(T+)时,反相器输出切换到低电平,电容向地放电,直到越过下限阈值V(T−),循环重复。振荡周期T取决于R、C和阈值电压:

T = R × C × ln((V(CC) − V(TL)) / (V(CC) − V(TH))) + R × C × ln(V(TH) / V(TL))

集成器件阈值固定,设计者选R和C设置频率,典型应用中,R取值范围10 kΩ至1 MΩ,C取值范围100 pF至1 µF。需可调频率和占空比的设计者通常选专用的555定时器。要考虑电源电压和温度导致的阈值电压变化,大迟滞减小占空比变化,但增加传播延迟,延长振荡周期。

传感器信号调理和电平转换

许多传感器输出电压变化缓慢、有噪声或转换速率差,直接输入数字逻辑会导致不稳定行为。施密特触发器可清理波形,确保干净上升和下降沿。有可调迟滞的比较器可将模拟电平转换为逻辑阈值,如用分压器设置阈值并添加正反馈,可创建窗口比较器,传感器输出超出指定范围时切换。这在电池电压监测、温度阈值检测和防篡改检测中有用。噪声大的环境中,设计者通常在比较器前用有源低通滤波器,衰减高频噪声。

常见错误

常见设计错误一是省略正反馈,将运算放大器作普通比较器,输入有噪声或边缘缓慢会导致抖动,应添加正反馈或选集成施密特触发器器件。二是迟滞设置太小,V(H)小于预期噪声幅度,电路无法达预期目的,仍可能多次切换,迟滞应超最坏情况下的噪声并有余量。

单电源系统中,忘记偏置比较器同相输入端,阈值会处于地电平,可能使输出饱和并导致锁存,应用分压器或参考IC设置开关点。用通用运算放大器作比较器有风险,多数运算放大器非为开环切换优化,饱和速度慢,可能有输出级问题,专用比较器如LM393或TLV3201用于快速切换和处理大输入差分,用运算放大器替代前要检查转换速率和输出驱动限制。

此外,有开集电极或开漏输出的比较器如LM393需要上拉电阻,否则输出可能浮空产生不确定逻辑电平;电源轨上的噪声会调制集成施密特触发器反相器的阈值,应用电容将V(CC)旁路到地,遵循制造商布局指南。

结论

施密特触发器可将模拟信号转换为干净数字电平,抑制噪声,其特点是迟滞。了解电阻网络和器件特性,有助于工程师设计可靠接口、振荡器和波形调理电路。

本文介绍了反相和同相运算放大器实现方案,分析了分立晶体管施密特触发器,比较了集成CMOS器件。比较器如LM393需外部反馈电阻实现迟滞,现代器件如TLV3201内置小内部迟滞。其应用包括开关去抖、过零检测、张弛振荡器和传感器调理。

超低功耗施密特触发器在物联网传感器节点和可穿戴设备中更重要,现代比较器提供可编程迟滞,可软件控制阈值电平实现自适应噪声滤波。掌握施密特触发器设计仍是硬件和模拟工程师的基本技能。

常见问题解答

什么是施密特触发器,它是如何工作的?

施密特触发器是带正反馈的比较器,提供两个不同开关阈值。输入电压上升超过上限阈值V(TH)时,输出切换,保持该状态直到输入降至下限阈值V(TL)以下。差值V(H) = V(TH) − V(TL)称为迟滞,防止输入多次越过阈值时输出抖动。

比较器和施密特触发器有什么区别?

普通比较器输入越过单个参考电平时切换输出,阈值附近小噪声可能导致多次切换。施密特触发器添加正反馈,开关阈值取决于输出状态,迟滞提供抗噪性和明确开关点。

如何计算迟滞电压?

对于反相运算放大器施密特触发器,阈值为V(TH) = (R1 / (R1 + R2)) × V(sat)和V(TL) = −(R1 / (R1 + R2)) × V(sat),迟滞宽度为V(H) = V(TH) − V(TL) = (2 × R1 / (R1 + R2)) × |V(sat)|。同相触发器由比率R1 / R(f)设置迟滞。

什么时候应该使用74HC14而不是运算放大器施密特触发器?

数字接口、波形整形和简单振荡器,可用集成CMOS施密特触发器反相器,如74HC14或SN74LVC1G14,提供固定迟滞和快速纳秒级切换,无需外部组件。需要可调阈值、处理模拟信号电平或电源范围超出CMOS逻辑系列限制时,用运算放大器或比较器。

如何使用施密特触发器对开关进行去抖?

电阻和电容串联在开关和地之间,连接点连到施密特触发器反相器输入。选RC时间常数长于预期抖动持续时间,如10 ms。反相器迟滞确保电容电压越过上下限阈值时输出才切换,消除虚假转换。

施密特触发器可以用作振荡器吗?

可以。张弛振荡器用施密特触发器反相器,输出和输入间连RC网络,电容在阈值间交替充电和放电产生方波。周期为T = R × C × ln((V(CC) − V(TL)) / (V(CC) − V(TH))) + R × C × ln(V(TH) / V(TL)),调整R和C可设置频率。

反相和同相施密特触发器有什么区别?

反相施密特触发器输入加到运算放大器或比较器反相端,输出信号相对于输入反相,阈值取决于比率R1 / (R1 + R2)。同相施密特触发器输入加到同相端,输出不反相,阈值取决于比率R1 / Rf,选择影响开关点极性,取决于应用需求。

应该添加多少迟滞?

迟滞应大于输入上的最大预期噪声或纹波。噪声幅度为±50 mV时,设计V(H)至少为±100 mV。过大迟滞可能降低灵敏度或延迟切换,应选在抗噪性和响应速度间平衡的值。用集成器件时,选迟滞范围与信号幅度匹配的器件。

参考文献

  • P. Horowitz和W. Hill,《电子学艺术》,第3版。英国剑桥:剑桥大学出版社,2015年。
  • A. S. Sedra、K. C. Smith、T. C. Carusone和V. Gaudet,《微电子电路》,第8版。美国纽约:牛津大学出版社,2021年。
  • 德州仪器,《理解施密特触发器》,应用简报SCEA046,美国德克萨斯州达拉斯。[在线]。可访问:
  • R. Mogh
http://www.jsqmd.com/news/1321160/

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