ROM/FLASH/RAM
ROM（只读存储器）、RAM（随机存取存储器）和FLASH（闪存）是计算机和电子设备中常见的三种存储技术，它们在功能、特性和应用场景上存在显著差异
1. ROM（只读存储器，Read-Only Memory）
特点：
非易失性（断电后数据不丢失）。
通常用于存储固件、BIOS、引导程序等不可更改的数据。
传统 ROM只能读取，但现代 ROM（如 EEPROM、Flash）可多次擦写。
常见类型：
Mask ROM（掩模 ROM） - 出厂固化，不可修改。
PROM（可编程 ROM） - 只能写入一次。
EPROM（可擦除 PROM） - 紫外线擦除后重新编程。
EEPROM（电可擦除 PROM） - 可电子擦写，如 BIOS 芯片。
用途：手机固件、嵌入式系统程序、游戏卡带。
2. RAM（随机存取存储器，Random Access Memory）
特点：
易失性（断电后数据丢失）。
用于临时存储运行中的程序和数据（如操作系统、游戏、浏览器缓存）。
读写速度极快，但成本较高。
常见类型：
DRAM（动态 RAM）- 需要定期刷新（如电脑内存条）。
SRAM（静态 RAM）- 速度更快，用于 CPU 缓存。
PSRAM（Pseudo SRAM）- 伪静态随机存储器是一种结合了 SRAM 和 DRAM 优势的内存类型
用途：电脑内存、手机运存（RAM）、显卡显存。
3. FLASH（闪存）
特点：
非易失性（断电不丢数据）。
可多次擦写，比传统 ROM（如 EPROM）更方便。
速度比 RAM 慢，但比硬盘快。
常见类型：
NOR Flash- 读取快，适合存储代码（如 BIOS）。
NAND Flash- 容量大，适合存储数据（如 SSD、U 盘、手机存储）。
用途：U 盘、SSD 固态硬盘、手机存储（eMMC/UFS）、SD 卡。
三者的主要区别对比
| 特性 | ROM | RAM | FLASH |
|---|---|---|---|
| 是否掉电丢失 | 不丢失（非易失性） | 丢失（易失性） | 不丢失（非易失性） |
| 读写速度 | 慢 | 极快 | 中等（比硬盘快） |
| 可写入性 | 通常只读（部分可写） | 可读写 | 可多次擦写 |
| 主要用途 | 固件、BIOS | 运行内存（临时数据） | 长期存储（SSD、U 盘） |
速度层级：在嵌入式系统的各类存储介质中，PSRAM 与 CPU 的数据交互速度排序为：RAM > ROM > PSRAM > FLASH，其速度优于传统 Flash，但低于片内 SRAM。
总结
ROM→ 存放固件，通常只读（如 BIOS）。
RAM→ 临时内存，速度快但断电丢失（如电脑内存条）。
FLASH→ 可擦写的存储介质（如 SSD、U 盘）。