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[光学原理与应用-500]:

TGV(Through‑Glass‑Via)玻璃通孔基板:用途、场景、国内主流厂家、替代方案

TGV 玻璃基板:在特种硼硅玻璃上制作微米垂直通孔,金属化填铜,实现芯片之间垂直电气互连;玻璃本身是绝缘体,低介电损耗、CTE 热膨胀系数接近硅,支持大面板级制造,属于后摩尔时代 2.5D/3D 先进封装下一代关键材料。

一、核心用途

  1. 玻璃中介层(Interposer):放在 GPU、HBM、Chiplet 芯片下方,作为芯片之间信号转接底座,实现多颗芯片异构互连,对标硅 TSV 中介层。
  2. 玻璃芯载板(Glass‑Core Substrate):直接作为封装基板,替代高端 ABF 有机载板,用于高速光模块、射频器件。
  3. MEMS / 射频器件基板:5G/6G 毫米波、滤波器、雷达,利用玻璃绝缘特性降低射频串扰与损耗。
  4. 临时载板:超薄硅片加工时的承载托盘,加工完成后剥离,属于耗材,不参与最终电气互联。

核心材料优势:

  • 本征绝缘,不需要额外沉积绝缘层,高频损耗远低于硅;
  • CTE 与硅接近,大尺寸封装翘曲小;
  • 支持大面板生产,材料利用率远高于圆形硅晶圆,规模化后成本远低于硅中介层。

二、主要使用场景

1)AI 算力芯片、Chiplet 异构封装(中长期核心市场)

GPU、AI 加速芯片 + HBM 高带宽显存,2.5D/3D 封装;替代高价硅 TSV 中介层(CoWoS),实现多裸片 Chiplet 互连,支持 PCIe6.0、高速并行总线。

当前状态:样品验证阶段,2027‑2028 逐步规模化导入。

2)高速光模块 / CPO 共封装光学(国内最先落地量产场景)

800G/1.6T/3.2T 光模块、CPO 光电共封装;光引擎、光电混合集成,TGV 实现高速电信号垂直互联,玻璃还可集成光波导。

当前状态:国内已经小批量供货,是 TGV 最早商业化落地赛道。

3)射频、毫米波、MEMS 器件

5G/6G 射频前端、毫米波雷达、滤波器、MEMS 传感器。 玻璃绝缘,高频下串扰、寄生参数远优于硅,毫米波场景 TGV 相比 TSV 具备不可替代优势。

4)车载半导体、功率器件封装

车载算力芯片、IGBT,对尺寸稳定性、抗温变要求高。

5)Mini/Micro‑LED 显示封装

玻璃基板 + TGV 实现巨量像素垂直电极引出。

三、国内主流厂家(2026 现状)

产业链分为:特种玻璃原片TGV 深加工(打孔‑填铜‑RDL 布线,核心壁垒)封测厂验证三大环节。

第一梯队:打通 TGV 全流程、实现小批量量产

  1. 沃格光电(子公司通格微)国内唯一完整打通:玻璃薄化→飞秒激光 LIDE 打孔→PVD 溅射→电镀填铜→RDL 再布线全流程;国内首条商业化 TGV 产线,光模块 CPO 基板已经小批量供给中际旭创、新易盛;算力中介层送样华为昇腾、头部封测厂;短板:玻璃原片需要外购(彩虹、凯盛)。

  2. 三叠纪(广东)科技晶圆级 TGV 路线,深度绑定华为,聚焦算力封装与光通信,中试转小批量阶段。

第二梯队:中试线建成、送样验证,尚未大规模量产

  • 京东方 A大面板 FOPLP 面板级封装路线,与康宁合作,TGV 试验线通线,2027 规划量产。
  • 美迪凯、长信科技、兴森科技聚焦光通信 TGV 基板送样验证。

上游玻璃原片国内厂商(提供基材)

  • 凯盛科技(中建材):自研低膨胀硼硅玻璃原片,8 英寸 TGV 中试线打通原片‑打孔‑填铜全流程,送样长电、通富微电。
  • 彩虹股份:半导体超薄无碱玻璃原片,向 TGV 深加工企业供货。

国内封测厂(做验证、测试)

长电科技、通富微电、华天科技,开展 TGV 玻璃基板封装可靠性验证。

海外对标:SK Absolics(韩国)、康宁 Corning、肖特 Schott、AGC 旭硝子。

四、替代方案对比(TGV 不是完全取代,是互补关系)

表格

替代技术路线核心特点优势短板适合场景
TSV 硅中介层(硅通孔)硅片做中介层,硅通孔垂直互连,台积电 CoWoS 成熟路线工艺极其成熟、良率高;散热好;通孔密度极高成本昂贵;硅是半导体,高频损耗大;圆形硅片大尺寸基板材料利用率低当前 AI GPU+HBM 主流成熟方案,短距离高密度互连
ABF 有机载板(树脂基板)传统高端封装载板,PCB 类有机材料成本低、供应链成熟高温易翘曲;高频 Df 损耗大;不适合超大尺寸、超高频中低端算力、普通光模块,大规模消费电子
Fan‑out 扇出封装(无中介层)芯片直接 RDL 布线,不用中介层省去中介层,降低厚度大尺寸多 Chiplet 时 RDL 布线压力大,翘曲管控难度高中低 I/O 密度 Chiplet
陶瓷基板陶瓷做载体,金属化通孔高导热、高可靠成本高,通孔密度有限,尺寸受限功率器件、射频,不适合 AI 大算力

通俗总结替代逻辑

  1. 高频毫米波、CPO 光模块场景:TGV 优势最大,TSV / 有机基板性能受限,TGV 优先
  2. 当前高端 AI GPU 大算力:TSV 硅中介层仍是主力;TGV 作为下一代备选,逐步验证导入,不是立刻替代
  3. 中低端、成本敏感产品:继续使用 ABF 有机基板,TGV 短期不具备成本优势

TGV 定位:不是消灭 TSV 与有机基板,是新增一条高性能路线,三者长期共存,按场景选型

五、TGV 当前工程短板(限制大规模普及)

  1. LIDE 飞秒激光打孔、电镀填铜、RDL 整套工艺良率还在爬坡;
  2. 整套产线设备(飞秒激光、全息断层检测、电镀)国产化仍在推进;
  3. 特种低膨胀硼硅玻璃原片大部分仍然依赖海外康宁、肖特;
  4. 完整可靠性数据库积累少于 TSV 硅中介层。
http://www.jsqmd.com/news/1379806/

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