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MOSFET

实现 MOSFET 模型

库: Simscape / Electrical / Specialized Power Systems / Power Electronics

描述

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种可通过栅极信号(g > 0)控制的半导体器件。MOSFET 器件与一个内部二极管并联,当 MOSFET 器件反向偏置(Vds < 0)且未施加栅极信号(g=0)时,该二极管导通。该模型通过一个由逻辑信号(g > 0 或 g =0)控制的理想开关进行仿真,并有一个二极管与之并联。

当栅极输入施加正信号(g > 0)时,无论漏源电压是正还是负,MOSFET 器件都会导通。如果栅极输入未施加信号(g=0),则仅当电压超过其正向电压 Vf 时,内部二极管才会导通。

当有正电流或负电流流经器件时,如果栅极输入变为 0,则 MOSFET 关断。如果电流 I 为负且流经内部二极管(无栅极信号或 g = 0),则当电流 I 变为 0 时,开关关断。

导通状态电压 Vds 会变化:

  • 当栅极输入施加正信号时,Vds = Ron*I。
  • 当反并联二极管导通时(无栅极信号),Vds = Rd* I-Vf +Lon *dI/dt。

二极管电感 Lon 仅在连续模型中可用。对于大多数应用,连续和离散模型的 Lon 都应设置为零。

MOSFET 模块还包含一个串联的 Rs-Cs 缓冲电路,可以并联在 MOSFET 两端(节点 d 和 s 之间)。

假设和限制

MOSFET 模块实现了真实 MOSFET 器件的宏模型。它没有考虑器件的几何形状或复杂的物理过程 [1]。

根据电感 Lon 的值,MOSFET 被建模为电流源(Lon > 0)或可变拓扑电路(Lon = 0)。除非使用其缓冲电路,否则 MOSFET 模块不能与电感器、电流源或开路串联。

如果选择对电路进行离散化,则电感 Lon 会被强制设置为 0。

端口

输入

用于控制 MOSFET 开通和关断的 Simulink 信号。

输出

模块的 Simulink 输出是一个包含 2 个信号的向量。您可以使用 Simulink 库中提供的 Bus Selector 模块对这些信号进行解复用。

信号 定义 单位
1 MOSFET 电流 A
2 MOSFET 电压 V

守恒

D — 漏极 专用电气

与漏极关联的专用电气守恒端口。

S — 源极 专用电气

与源极关联的专用电气守恒端口。

参数

FET 电阻 Ron (Ohms) — 内阻 0.1 (默认值)

内阻 Ron,单位为欧姆 (Ω)。默认值为 0.1。当 电感 Lon 参数设置为 0 时,电阻 Ron 参数不能设置为 0

内部二极管电感 Lon (H) — 内部电感 0 (默认值)

内部电感 Lon,单位为亨利 (H)。默认值为 0电感 Lon 参数通常设置为 0,除非 电阻 Ron 参数设置为 0

内部二极管电阻 Rd (Ohms) — 内部二极管的内阻 0.01 (默认值)

内部二极管的内阻,单位为欧姆 (Ω)。默认值为 0.01

内部二极管正向电压 Vf (V) — 内部二极管的正向电压 0 (默认值)

内部二极管的正向电压,单位为伏特 (V)。默认值为 0

初始电流 Ic (A) — MOSFET 初始电流 0 (默认值)

您可以指定流经 MOSFET 器件的初始电流。通常将其设置为 0,以便在器件关断状态下开始仿真。默认值为 0

如果 初始电流 IC 参数设置为大于 0 的值,则稳态计算会将 MOSFET 的初始状态视为闭合。初始化电力电子变换器的所有状态是一项复杂的任务。因此,此选项仅对简单电路有用。

缓冲电阻 Rs (Ohms) — 缓冲电阻 1e5 (默认值)

缓冲电阻,单位为欧姆 (Ω)。默认值为 1e5。将 缓冲电阻 Rs 参数设置为 inf 可从模型中移除缓冲器。

缓冲电容 Cs (F) — 缓冲电容 inf (默认值)

缓冲电容,单位为法拉 (F)。默认值为 inf 。将 缓冲电容 Cs 参数设置为 0 可移除缓冲器,或设置为 inf 可获得电阻性缓冲器。

显示测量端口 — 测量端口可见性 on (默认) | off

如果选中,则为模块添加一个 Simulink 输出,返回 MOSFET 电流和电压。默认已选中。

参考文献

[1] Mohan, N., T.M. Undeland, and W.P. Robbins, Power Electronics: Converters, Applications, and Design, John Wiley & Sons, Inc., New York, 1995.

扩展功能

版本历史记录

在 R2006a 之前推出

http://www.jsqmd.com/news/382861/

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