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SBD1DF20V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG2010AEH
型号：SBD1DF20V1H
品牌：ASEMI
封装：SOD-123FL
正向电流：1A
反向电压：20V
正向压降：0.44V~0.47V
引线数量：2
芯片个数：1
芯片尺寸：MIL
漏电流：10ua
恢复时间：35ns
浪涌电流：200A
芯片材质：
正向电压：1.10V
封装尺寸：如图
特性：小家电专用二极管
工作结温：-50℃~150℃
包装方式：500/管；5000/箱
ASEMI首芯半导体可替代安氏半导体功率器件
高效节能：低正向压降降低电路损耗，提升整体能效。
可靠耐用：宽温工作范围适应严苛环境，延长设备寿命。
紧凑设计：SOD-523封装节省PCB空间，支持高密度布局。
广泛应用：从消费电子到工业自动化，满足多样化需求。
SBD1DF20V1H-ASEMI肖特基二极管的电性参数：正向电流1A；反向电压20V
SBD1DF20V1H肖特基二极管被广泛适用于：新能源汽车、车用、电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用。
