IFW Dresden选定Agnitron设备

德累斯顿莱布尼茨固态与材料研究所（IFW Dresden）选定Agnitron工具，推进ScAlN与Ga2O3材料研发

德累斯顿莱布尼茨固态与材料研究所（IFW Dresden）的金属有机化学气相沉积（MOCVD）和原子层沉积（ALD）能力中心，业已选定Agnitron公司的Agilis 100 MOCVD系统，用以支撑其前驱体化学研究以及MOCVD和ALD工艺的研发。

IFW Dresden正致力于为多种新型半导体器件类别研发创新的化学合成方法。选用Agnitron的设备，使IFW Dresden得以应对在灵活的研发型MOCVD平台上部署新合成的、独特低蒸气压前驱体的难题。

IFW Dresden材料化学研究所所长安佳娜·德维（Anjana Devi，下图）对这款别具一格的Agnitron Agilis 100系统予以肯定。该系统整合了新研发的装置，借助其专利喷淋头，达成了从前驱体安瓿到晶圆的温度调控。她表示：“我们发觉与Agnitron合作，为我们提供了所需的灵活性，以及在商用反应器中开展合成和测试新前驱体计划所需的支持。”

该中心初期的重点将聚焦于运用正在研发的新型金属有机前驱体，生长钪（Sc）合金化的氮化铝（AlN）。ScAlN合金属于超宽禁带半导体，其压电系数显著提高，且具备较强的自发极化特性。ScAlN预计将在下一代高频、高功率和声学半导体器件中扮演关键角色，能够推动创新功率电子学的发展，实现更优的带宽、信号质量和热稳定性。

负责IFW Dresden纳米结构薄膜材料研究团队的哈里什·巴拉拉（Harish Parala）表示：“鉴于已安装的Agilis 100系统在材料生长方面的卓越成效和性能表现，我们选择Agnitron为我们提供第二套MOCVD系统，以进一步强化我们针对氧化物薄膜的前驱体开发。第二套生长系统将使我们能够运用和测试新的镓化学物质，以生长Ga₂O₃薄膜。”

Ga₂O₃是另一种超宽禁带半导体，Agnitron在利用MOCVD生长该材料的纯度方面保持着世界纪录。IFW Dresden的化学工艺与Agnitron在Ga₂O₃ MOCVD设备及工艺方面的世界领先地位相结合，堪称完美的合作伙伴关系。

Agnitron Technology的创始人兼首席执行官安德烈·奥辛斯基（Andrei Osinsky）表示：“IFW Dresden堪称理想的合作伙伴：这是一支世界一流的科研团队，拥有精良的设施，能够创制出完美的前沿材料，极为适配采用专利喷淋头和低蒸气压化学输送系统的Agilis 100平台。

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