延时Reset电路，控制VM芯片采用不同N,P管子对应的冲放电电路

理论是2.1s,实际测试值为0.6S，也许是因为3.3V出的比24V慢很多

有个注意点：与电容并联的二极管导致的漏电流和1M电阻，导致在MOSFET的基极上有电压，假如漏电流大的二极管可能导致MOSFET误触发，所以要去掉这个二极管或者R减小。