ARM Cortex-M系列内核的编译信息内存分布——思维导图

一、编译信息内存分布的思维导图
ARM Cortex-M系列内核的编译信息内存分布——思维导图如下所示：

• Code是代码占用大小、RO-data是只读常量，存于Flash中；
• RW-data是已初始化的可读可写变量，其特殊之处在于：当MCU上电时，RW-data会复制搬运到RAM中运行。当MCU下电时，RW-data保存在Flash，等待MCU上电工作；
• ZI-data是未初始化的可读可写变量，运行时自动清零，不占用Flash空间，存于RAM中。

二、举实例
基于嵌入式开源GCC的arm-none-eabi-gcc交叉编译工具链的内存区域占用详细信息表征：

基于keil MDK体系的armcc / armclang编译工具链的内存区域占用详细信息表征：

以arm-none-eabi-gcc交叉编译工具链内存区域的占用详细信息作为分析:

① dec十进制42713 = hex十六进制a6d9，hex文件是即将要烧录到MCU-flash中的产物(hex文件包含有烧录起始地址，实际上烧录到MCU-flash中的是二进制bin文件)；
② a6d9(hex)=42713=31521+2512+8680，在上面的思维导图中可以看到，.text段+.data段是在flash中运行的、.data段+.bss段是在MCU上电后复制并搬运到RAM中运行的；
③ 最终烧录到MCU-Flash的hex文件是由.text段+.data段+.bss段组成。