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DIO6921 高效率2A、30V输入同步降压转换器技术文档

news 2026/5/1 7:09:22

DIO6921 高效率2A、30V输入同步降压转换器

概述

DIO6921是一款高效率、高频同步降压DC-DC稳压器IC，可提供高达2A的输出电流。DIO6921工作在4.5V至30V的宽输入电压范围内，集成主开关和同步开关，且具有极低的RDS(ON)，可最大程度减少导通损耗。该器件采用COT架构，能够在重载条件下实现Pseudo-Constant频率700kHz工作，最小化电感和电容的尺寸。

关键特性

低RDS(ON)：120mΩ/75mΩ（顶/底开关），2.0A
输入电压范围：4.5V~30V
高效率同步模式

内部软启动限制浪涌电流

过流保护

热关断保护

伪恒定频率：700kHz（重载）

封装：TSOT23-6

应用场景

便携导航设备

机顶盒

便携电视

LCD电视

封装信息

型号封装温度范围包装

DIO6921TST6 TSOT23-6 -40~85°C Tape & Reel, 3000

引脚描述

引脚编号引脚名称描述

1 GND 功率地

2 SW 电感引脚，连接至电感开关节点

3 VIN 电源输入

4 FB 输出反馈引脚，连接输出电阻分压器中点以编程输出电压：VOUT=0.6×(1+R1/R2)

5 EN 使能控制，高电平开启，不可悬空

6 BS 自举引脚，在SW和BS引脚间连接电容和电阻形成高侧开关驱动器的浮置供电

绝对最大额定值

符号参数范围单位

VIN 电源电压 -0.3~36 V

VEN EN电压 -0.3~VIN+0.3 V

VFB FB电压 -0.3~6 V

VBS BS电压 VSW+6 V

VSW SW电压（<20ns） -5~32 V

VSW SW电压（>20ns） -0.3~30 V

θJA 结到环境热阻 89 °C/W

TSTG 存储温度 -65~150 °C

TJ 最大结温 150 °C

ESD HBM ±3500 V

推荐工作条件

符号参数范围单位

VIN 电源电压 4.5~30 V

TJ 结温范围 -40~125 °C

TA 环境温度 -40~85 °C

电气特性

V_IN=12V，V_OUT=1.2V，L=2.2µH，C_OUT=22µF，T_A=25°C，I_OUT=1A

符号参数测试条件最小值典型值最大值单位

VIN 电源电压 — 4.5 — 30 V

IQ 静态电流 IOUT=0，VFB=VREF×105% — 140 — µA

ISHDN 关断电流 EN=0 — 5 10 µA

VREF 反馈参考电压 — 0.588 0.60 0.612 V

IFB FB输入电流 VFB=VIN -50 — 50 nA

RDS(ON)_Top 顶侧FET导通电阻 — — 120 — mΩ

RDS(ON)_Bot 底侧FET导通电阻 — — 75 — mΩ

ILIM 底侧FET谷值电流限制 VOUT=5V — 2 — A

VEN_H EN上升阈值 TA=25°C 0.75 0.80 0.85 V

VEN_L EN上升阈值 TA=-40~125°C 0.69 0.80 0.91 V

VEN_HYS 迟滞 — 60 80 100 mV

VUVLO 输入UVLO阈值 — — 4.5 — V

VUVLO_HYS UVLO迟滞 — — 500 — mV

fSW 开关频率 — — 700 — kHz

tON 导通时间 VIN=12V，VOUT=1.2V，IOUT=1A — 145 — ns

MinON 最小导通时间 — — 50 — ns

MinOFF 最小关断时间 — — 100 — ns

tSS 软启动时间 — — 2 — ms

TSD 热关断温度 — — 150 — °C

THYS 热关断迟滞 — — 15 — °C

型号	封装	温度范围	包装
DIO6921TST6	TSOT23-6	-40~85°C	Tape & Reel, 3000

引脚编号	引脚名称	描述
1	GND	功率地
2	SW	电感引脚，连接至电感开关节点
3	VIN	电源输入
4	FB	输出反馈引脚，连接输出电阻分压器中点以编程输出电压：VOUT=0.6×(1+R1/R2)
5	EN	使能控制，高电平开启，不可悬空
6	BS	自举引脚，在SW和BS引脚间连接电容和电阻形成高侧开关驱动器的浮置供电

符号	参数	范围	单位
VIN	电源电压	-0.3~36	V
VEN	EN电压	-0.3~VIN+0.3	V
VFB	FB电压	-0.3~6	V
VBS	BS电压	VSW+6	V
VSW	SW电压（<20ns）	-5~32	V
VSW	SW电压（>20ns）	-0.3~30	V
θJA	结到环境热阻	89	°C/W
TSTG	存储温度	-65~150	°C
TJ	最大结温	150	°C
ESD	HBM	±3500	V

符号	参数	范围	单位
VIN	电源电压	4.5~30	V
TJ	结温范围	-40~125	°C
TA	环境温度	-40~85	°C

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
VIN	电源电压	—	4.5	—	30	V
IQ	静态电流	IOUT=0，VFB=VREF×105%	—	140	—	µA
ISHDN	关断电流	EN=0	—	5	10	µA
VREF	反馈参考电压	—	0.588	0.60	0.612	V
IFB	FB输入电流	VFB=VIN	-50	—	50	nA
RDS(ON)_Top	顶侧FET导通电阻	—	—	120	—	mΩ
RDS(ON)_Bot	底侧FET导通电阻	—	—	75	—	mΩ
ILIM	底侧FET谷值电流限制	VOUT=5V	—	2	—	A
VEN_H	EN上升阈值	TA=25°C	0.75	0.80	0.85	V
VEN_L	EN上升阈值	TA=-40~125°C	0.69	0.80	0.91	V
VEN_HYS	迟滞	—	60	80	100	mV
VUVLO	输入UVLO阈值	—	—	4.5	—	V
VUVLO_HYS	UVLO迟滞	—	—	500	—	mV
fSW	开关频率	—	—	700	—	kHz
tON	导通时间	VIN=12V，VOUT=1.2V，IOUT=1A	—	145	—	ns
MinON	最小导通时间	—	—	50	—	ns
MinOFF	最小关断时间	—	—	100	—	ns
tSS	软启动时间	—	—	2	—	ms
TSD	热关断温度	—	—	150	—	°C
THYS	热关断迟滞	—	—	15	—	°C