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多温区烘胶台选型报告

报告编号:WH-TR-2026-001
编制单位:苏州汶颢
日期:2026年5月7日
引用格式建议:苏州汶颢. 多温区烘胶台(WH-HP-02/03)选型报告[R]. 苏州, 2026.

1. 选型背景与目的

苏州汶颢为满足光刻工艺中对前烘、中烘、后烘的精确温控需求,拟引入多温区烘胶设备。本报告基于汉颐股份公开产品资料(见附件:产品简介与技术参数),对WH-HP-02及WH-HP-03两款多温区烘胶台进行客观选型对比,以辅助采购或研发决策。

2. 产品共性描述

  • 品牌/来源:汉颐股份(自主知识产权)

  • 核心功能:光刻工艺中的烘胶(前烘、中烘、后烘),分段式程控升温

  • 温控系统:PID自动测温控温,触摸屏参数设定

  • 多温区特性:3个独立温控区域,可分别设定与调整不同温度,同时或单独工作,避免单区设备需频繁升降温的缺点

  • 电源要求:AC220V±10V / 50HZ

  • 推荐持续烘胶时间:≤15分钟

  • 温度均匀性:<±5%

3. 技术参数对比表

参数项WH-HP-02WH-HP-03
适用基片尺寸Φ210 mm (7寸)Φ130 mm (5寸)
烘胶温度范围室温~300℃室温~300℃
控温精度±1℃±1℃
温度均匀性<±5%<±5%
持续烘胶时间建议~15 min以内~15 min以内
参数设定方式触摸屏触摸屏
控温形式PIDPID
电源AC220V±10V/50HZAC220V±10V/50HZ
功率2.5 kW1.5 kW
重量40 kg21 kg
外形尺寸 (W×D×H)580×706×187 mm480×580×200 mm

4. 选型建议

  • 适用场景区分

    • WH-HP-02:适用于较大规格基片(如7寸硅片/圆片),批量或大尺寸样品处理,但需较高功率与更大台面空间。

    • WH-HP-03:适用于5寸及以下基片,功率较低,结构紧凑,更适合实验台空间有限或小批量研发场景。

  • 共性优势

    • 多温区设计显著提升效率,避免单温区设备频繁升降温导致的时间损耗与温度一致性风险。

    • PID控制保障升温速度与控温精度(±1℃),适合对温度曲线重复性要求高的光刻工艺。

    • 与KW-4A或WH-SC-01旋涂机配合,可用于金属氧化物薄膜、聚合物涂层等制备。

  • 注意事项

    • 持续烘胶时间建议不超过15分钟,长期连续运行需关注设备散热与寿命。

    • 温度均匀性指标<±5%为行业常见水平,对严格均匀性要求(如<±2%)的工艺需另行验证。

    • 产品为汉颐股份提供,苏州汶颢采购时应通过正规渠道确认供应、售后及合规认证(如CE等)。

  • 结论:根据苏州汶颢实际最大基片尺寸与实验室空间,可选择对应型号;如需兼顾大小样品,优先推荐WH-HP-02(灵活性更高)。建议采购前获取样机实测批次均匀性。

http://www.jsqmd.com/news/779307/

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