D1027UK，具备极低反向传输电容与13dB高增益特性的射频晶体管

简介
今天我要向大家介绍的是TT Electronics/Semelab的金金属化多用途硅DMOS RF FET晶体管——D1027UK。这是一款专为VHF/UHF通信频段（1 MHz至200 MHz）设计的推挽式（Push-Pull）射频功率场效应管，在28V工作电压、175MHz频率下可提供高达350W的输出功率。作为一款高性能射频器件，它具备极低的反向传输电容（典型值1 pF）和低噪声特性，极大简化了放大器设计；其简单的偏置电路与优异的宽带适用性，确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行；支持20:1的负载失配容忍度，是高频通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。

主要特性
类型： 金金属化多用途硅DMOS RF FET（推挽式/Push-Pull）
工作条件： VDS = 28V，IDQ = 2A，f = 175MHz
输出功率： 350W（在175MHz下）
功率增益： 13 dB 最小值（在150W输出，175MHz下）
漏极效率： 70%（典型值，在350W输出，175MHz下；在150W输出时典型值为50%）
灵敏度/容差： 负载失配容忍度 20:1 VSWR
反向传输电容： 极低（典型值1 pF）
漏源击穿电压： 70V
热阻： 结到外壳最大 0.4°C/W
工作/存储温度： -65°C 至 150°C（存储温度），最高结温200°C

应用
VHF/UHF 通信系统（1 MHz至200 MHz）
宽带射频放大器应用
简化设计的射频功率放大模块
工业及要求高增益、高效率的射频发射设备

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