D1016UK，1MHz至1GHz宽带适用的低噪声高效率射频功率晶体管

简介
今天我要向大家介绍的是TT Electronics/Semelab的DMOS RF FET晶体管——D1016UK。这是一款专为VHF/UHF通信频段（1 MHz至1GHz）设计的金金属化多用途硅RF功率场效应管，采用推挽式架构，在28V工作电压下可提供40W的输出功率。作为一款高性能射频器件，它具备极低的反向传输电容和低噪声特性，极大简化了放大器设计；其简单的偏置电路与优异的宽带适用性，确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行；支持20:1的负载失配容忍度，是高频通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。

主要特性
类型： 金金属化多用途硅DMOS RF FET（推挽式/Push-Pull）
工作条件： VDS = 28V，IDQ = 0.4A，f = 400MHz
输出功率： 40W
功率增益： 13 dB 最小值（在40W输出，400MHz下）
漏极效率： 60%（典型值，在40W输出，400MHz下）
灵敏度/容差： 负载失配容忍度 20:1 VSWR
反向传输电容： 极低（典型值2.5 pF）
漏源击穿电压： 70V
热阻： 结到外壳最大 1.75°C/W
工作/存储温度： -65°C 至 150°C（存储温度），最高结温200°C
封装特性： 金属法兰封装，引脚1为源极（公共端），引脚2/3为漏极1/2，引脚4/5为栅极1/2

应用
VHF/UHF通信系统（1 MHz至1GHz）
宽带射频放大器应用
简化设计的射频功率放大模块
工业及要求高增益、高效率的射频发射设备

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