【信息科学与工程学】计算机科学与自动化 第十篇 芯片设计-02 电热设计
一、芯片设计中的的电热设计
1.1 芯片设计中的电设计
下面表格汇总了主要的设计方法和考量因素在不同尺度下的演变：
设计维度 | 微米级别（例如 0.8 μm 以上） | 亚微米/深亚微米级别（例如 0.35 μm 至 0.25 μm）及更小尺寸 |
|---|---|---|
核心设计焦点 | 晶体管性能（速度、驱动能力） | 互连线效应（延迟、串扰、IR 压降）、工艺效应（如 STI 应力、WPE） |
时序分析与收敛 | 门延迟主导，互连线延迟占比小；静态时序分析（STA）相对简单，通常关注单一工作条件。 | 互连线延迟成为主导；需时序驱动设计 (TDD)；分析变得复杂，需考虑多模式多端角 (MMMC) 和统计静态时序分析 (SSTA) 。 |
信号完整 |