LDO 三大关键参数：静态电流 IQ、电源抑制比 PSRR、关断电流详解
这三个指标在低功耗、电池供电或射频电路中非常关键，它们的定义和影响如下：
1. 静态电流 (IQ)
定义：LDO工作时，自身消耗的电流。即VOUT 带轻载（通常空载）、EN 使能、且所有内部电路正常偏置时，从VIN流入VSS的电流。它不包括流向负载的电流。
主要影响：
电池续航：在待机或低功耗模式下（负载很轻），IQ 会成为系统功耗的主要部分。IQ 越低，电池寿命越长（例如1μA的IQ对比100μA）。
发热：IQ 会转化为热，但通常很小；仅在 IQ 较大且 VIN 很高时需注意。
2. 电源抑制比 (PSRR)
定义：LDO 抑制输入端（VIN）纹波或噪声传递到输出端（VOUT）的能力。单位是 dB。
公式：
PSRR = 20 × log(VIN_ripple / VOUT_ripple)值越大，抑制能力越强（如 80dB 表示输出纹波仅为输入的万分之一）。
主要影响：
输出噪声/纹波：在开关电源后接 LDO 时，高 PSRR 能有效滤除前级的开关纹波。
敏感电路性能：RF、ADC、PLL、音频放大器等对电源噪声敏感。PSRR 不足会导致相位噪声增加、信噪比下降、杂散或误码率升高。
频率特性：PSRR 随频率升高而下降。对高频噪声（如MHz级）抑制能力有限，可能需要额外滤波。
3. 关断电流 (ISD / Shutdown Current)
定义：当EN 引脚置为无效（关闭LDO）时，从VIN流入VSS的电流。此时内部大部分电路（包括基准、误差放大器、反馈分压等）关闭，但部分保护或接口电路可能仍有微小电流。
主要影响：
极低功耗系统的“关机漏电”：电池设备关机后，ISD 仍是耗电来源。理想值应 < 1μA（很多现代LDO为0.1μA甚至 nA 级）。
电池存放寿命：设备关机后，若 ISD 较大（如 10μA），数月后电池可能被耗尽。
对比与选型建议
| 参数 | 工作状态 | 主要关心场景 | 典型值（低功耗LDO） |
|---|---|---|---|
| IQ | 使能，空载 | 待机/轻载续航 | 1-10μA（极低：<1μA） |
| PSRR | 使能，正常负载 | 纹波敏感电路 | 60-100dB @ 1kHz |
| ISD | 禁用 | 关机后漏电 | 0.01-1μA |
总结影响：
IQ 影响“工作时的最低功耗”（尤其轻载）
PSRR 影响“电源纯净度”
ISD 影响“关机的漏电损耗”
如果你能说明具体的应用场景（如电池类型、负载电流、输入电源纹波情况、对噪声的敏感度），我可以帮你进一步判断哪个参数最关键。