TC5097B 高精度内置 MOSFET 锂电池保护电路
概述
TC5097B电路是一款高精度的单节内置MOSFET可充电锂电池的保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流充放电保护等性能于一身。
正常状态下，TC5097B的VDD端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（V
OD）之间，且其 VM 检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，此时 TC5097B使内置N-MOS管导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。
TC5097B通过检测VDD或VM端电压（相对于GND端）来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时， 内置 N-MOS由导通变为截止，从而充/放电过程停止。
TC5097B对每种保护状态都有相应的恢复条件，当 恢复条件满足以后，内置N-MOS由截止变为导通，从而进入正常状态。
TC5097B对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后， 才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的 延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。
TC5097B工作时功耗非常低，采用非常小的DFN6L(2*2*0.5)的封装，使得该芯片非常适合应用于空间限制小的可充电电池组应用。
本产品不适用与无线及射频信号排布及屏蔽太差的产品，另请客户使用本产品前务必做成品整机验证。
特性
单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
内置低导通内阻 N-MOSFET
高精度的过充电保护电压检测 4.30V±50mV
高精度的过放保护电压检测2.8V±75mV
高精度过电流放电保护检测
电池短路保护
有 0V充电
带有过充、过放自动恢复功能
低功耗 工作电流 3uA休眠电流0.01uA
超小型化的 DFN6L(2×2×0.5)
MOSFET:RSS(on)<72mΩ(VGS=3.7V,ID=1A)
产品应用
锂电池的充电、放电保护电路
电话机电池或其它锂电池高精度保护器
订购信息
引脚示意图及说明
功能框图
电压检测阈值及延迟时间
极限参数
电气参数
(除非特别注明，典型值的测试条件为：VDD = 3.6V，TA = 25℃。标注“■”的工作温度为：－40℃≤TA≤85℃)
典型应用电路图
功能描述
TC5097B是一款高精度的锂电池保护电路。正常状态下，如果对电池进行充电，则TC5097B可能会进入过电压充电保护状态；同时，满足一定条件后，又会恢复到正常状态。如果对电池放电，则可能会进入过电压放电保护状态或过电流放电保护状态；同时，满足一定条件后，也会恢复到正常状态。
正常状态
在正常状态下，TC5097B由电池供电，其VDD端电压在过电压充电保护阈值VOC 和过电压放电保护阈值 VOD之间，VM端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，内置 N-MOS管导通。此时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。
过电压充电保护状态
保护条件
正常状态下，对电池进行充电，如果使VDD端电压升高超过过电压充电保护阈值VOC，且持续时间超过过 电压充电保护延迟时间 tOC，则 TC5097B将使内置N-MOS管关闭，充电回路被“切断”， 即TC5097B进入过电压充电保护状态。
恢复条件
有以下两种条件可以使TC5097B从过电压充电保 护状态恢复到正常状态：
1）电池由于“自放电”使VDD端电压低于过电压充电恢复阈值VOCR；
2）通过负载使电池放电（注意，此时虽然 内置N-MOS管 关闭，但由于其体内二极管的存在，使放电回路仍然存在），当 VDD端电压低于过电压充电保护阈值VOC，且VM端电压高于过电流放电保护阈值VEDI（在内置N-MOS 管 导通以前，VM端电压将比GND端高一个二极管的导通压降）。TC5097B 恢复到正常状态以后，内置 N-MOS管回到导通状态。