D5030UK，具备极低反向传输电容与简单偏置电路的宽带射频功率器件

简介
今天我要向大家介绍的是Semelab的硅 DMOS RF FET 晶体管——D5030UK。这是一款专为 VHF/UHF 通信频段（1 MHz 至 250 MHz）设计的推挽式射频功率场效应管，在 50V 工作电压、175 MHz 频率下可提供 400W 的输出功率。作为一款高性能射频器件，它具备极低的反向传输电容（Crss 典型值 7 pF）和高增益（最小 16 dB）特性，极大简化了放大器设计；其简单的偏置电路与优异的宽带适用性，确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行；具有低 Crss、高增益、高效率及 20:1 负载失配容限等特性，是 VHF/UHF 通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。

主要特性
类型：硅 DMOS RF FET（推挽式/PUSH-PULL，金属栅极，金金属化）
工作条件：VDS = 50V，IDQ = 2.0A，f = 175 MHz
输出功率：400W（在 175 MHz 下）
功率增益：高增益（最小 16 dB）
漏源击穿电压：125V
反向传输电容：典型值 7 pF
热阻：结到外壳最大 0.3°C / W
工作/存储温度：-65°C 至 150°C（存储温度），最高结温 200°C

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