华为韬(T)定律

1.铺垫知识:等效晶体管密度关键，而非线宽
关键尺寸(Critical Dimension，即历史上的nm)近年仅为等效值，意义减弱.
首先，在经典的半导体理论中，线宽与栅极长度、金属半节距较为匹配。例如，对于0.35um 工艺:栅极长度Lg≈350nm,金属半节距 Half-Pitch≈350nm，关键尺寸CD≈350nm;对于0.25um工艺:栅极长度Lg≈250nm，关键尺寸CD≈250nm。
随着半导体的发展，金属半间距(M1Half-Pitch)成为瓶颈，节点由它定义，而非栅极长度。
其次，到了近年，尤其 28nm/22nm 之后，进入FinFET，实际物理线宽不再缩小,但架构、结构让晶体管密度大幅提升，由此计算等效定义节点.
其中提高晶体管密度的方法包括:缩小栅距、缩小金属节距、降标准单元高度、FinFET 挤鳍、SRAM 微缩等。
其中等效线宽的计算方法是:
1)测标准单元面积。取两输入与非门(NAND2)、标准触发器(FF，Flip-Flop)实测面积;
2)计算晶体管密度。例如根据数字电路常识，NAND2含4管，FF含约24管(6个NAND)，先用上述测量面积计算密度，再计算加权平均。例如可以采用0.6、0.4权重的NAND2密度、FF 密度，计算整体密度;也可以0.5、0.5权重的NAND2密度、FF密度，计算整体密度。
得到的往往是晶体管密度 MTr/mm2(百万管/mm2)。华为本篇论文多次提供晶体管密度参考值。
3)用上述密度倒推等效线宽，而不是真实测量值
例如，根据2013年ITRS1、Intel 2014年IDF2，得到28nm、14nm节点的参考晶体管密度，再根据需要评估电路的晶体管密度，与之比较再开平方，得到等效线宽(即近年半导体工艺俗称的7nm、5nm等)
本篇论文中，华为指出“麒麟2026平台上....晶体管密度从155MTr/mm2逐步提升至238MTr/mm2，还指出“在器件和电路层，晶体管密度会从155 MTr/mm提升至2031年时的400+MTr/mm。恰恰是重点优化晶体管密度，而不是强调等效线宽，
实际上，线宽等效下的7nm/5nm/3nm，实际最小线宽(真实测量值)约15-30nm是摩尔定律风扉时的等效值，有一定营销宣传意义.
华为本篇论文将最关键的等效晶体管密度，用了更直观的指标来衡量，就是时间/速度，即“T缩放"。它引经据典摩尔定律、丹纳德(Dennard)缩放理论，论证这些问题。换句话说，本篇论文是用一种类似于摩尔定律线宽缩放的简单理论，讲出了晶体管密度才是关键的本质，可以视为"类似摩尔定律的朴素道理"。
“"缩放“实际有充分的案例支撑，近年国内半导体诸多架构创新(例如Chiplet、近存计算、存算一体、3D堆叠等)，都源自该思路。