Power Integrations推出节省空间的超薄型辅助电源参考设计，适用于NVIDIA的Kyber 800VDC AI数据中心应用

新款紧凑、超薄电源设计采用高集成度、1700V额定耐压的PowiGaN™单HEMT IC， 可节省空间、简化方案、提升可靠性并减少BOM元件数，同时实现高达88%的效率

台北国际电脑展(COMPUTEX)讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出两款全新超薄紧凑型辅助电源参考设计，专为800VDC AI数据中心打造。其中一款单路输出15W设计的尺寸仅为30mm×30mm，厚度为7mm；另一款隔离式、六路输出、35W设计的尺寸仅为80mm×60mm，厚度为8mm。这两款超紧凑型设计方案专为NVIDIA的Kyber液冷刀片式机架架构优化设计，可在布局密集的主配电板(PDB)上节省约30%空间，同时BOM元件数预计减少30%，进而简化设计并提升整体可靠性。这两款设计效率极高，在整个输入电压和负载范围内，效率均不低于88%。

Power Integrations高级培训经理Jason Yan表示：“Power Integrations是率先推出单HEMT 1700V GaN器件的公司，因此能够打造这款业界顶尖、高能效的反激式电源。该方案物料清单精简，同时可在800V母线电压下保持充足的安全裕量。市面上其他替代方案均采用分立碳化硅(SiC)器件，不仅成本更高，所需元件数量与占用空间也会多出30%。”

最新发布的设计范例报告介绍了两款分别为35W和15W的反激式辅助电源，适用于高压AI数据中心场景。这类紧凑型电源单元(PSU)为微控制器、栅极驱动器、运算放大器等内部元件供电，这些元件执行关键的“控制与内部管理”功能，确保可靠运行、高能效及系统安全。

这两款设计均采用Power Integrations的InnoMux™-2 IC，该器件搭载1700V PowiGaN氮化镓(GaN)技术。这款额定耐压1700V的InnoMux-2 IC，在反激拓扑架构下可轻松适配1000VDC额定输入电压；工作于断续导通模式(DCM)时，能在最大化输出功率的同时，保持90%的平稳变换效率。

相关资源

这些设计可从power.com免费下载：

• DER-1110 – 该设计采用IMX2353F器件，是一款35W多路输出反激式电源，适用于高压AI数据中心的辅助供电场景。
• DER-1114 – 该设计采用IMX2353F器件，是一款15W单路输出反激式电源，适用于高压AI数据中心的辅助供电场景。

如需更多信息，请联系Power Integrations销售代表或公司授权的全球分销商— DigiKey、Newark、Mouser和RS Components，或访问power.com。

关于Power Integrations

Power Integrations Inc.是一家专注于半导体领域高压功率变换的技术创新型公司。该公司的产品是清洁能源生态系统内的关键组成部分，可实现新能源发电以及毫瓦级至兆瓦级应用中电能的有效传输和使用。

Power Integrations、Power Integrations徽标、PowiGaN、InnoMux-2和EcoSmart是Power Integrations, Inc.的商标、服务标记或注册商标。NVIDIA是NVIDIA的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

采用 1700V 额定耐压的 PowiGaN 单 HEMT IC ，在NVIDIA Kyber 800 VDC AI 数据中心应用中实现紧凑、超薄辅助电源设计，节省空间，提升效率，并提高可靠性。