基于simulink的单相全桥逆变器
目录
一、为什么要加入 寄生参数（Parasitic）
二、目标（本次仿真）
三、关键参数
四、Simulink 建模（手把手）
4.1 Step 1️⃣ —— 功率级（三种可切换）
■ DC‑Link + 杂散电感
■ 开关选型
■ 全‑Bridge → LC → R_load（同前几篇）
4.2 Step 2️⃣ —— PWM（同前）
4.3 Step 3️⃣ —— 运行 Scenario
五、结果解读（典型）
✅ 理想 Switch（无寄生）
✅ MOSFET + Lstray=50nH,Coss=80pF
✅ IGBT + Lstray=100nH
六、抑制 / 工程化处理（Sim 中可加）
七、结论（重点 ✅）
八、可扩展方向（你要我就写）
一、为什么要加入寄生参数（Parasitic）
理想开关仿真往往得到：
完美方波电压
无过冲 / 振铃（Ringing）
无开通 / 关断损耗
但实际IGBT / MOSFET 都有：
寄生 | 影响 |
|---|---|
Coss(Vds)输出电容 | 容性开通损耗、ZVS 判定、dv/dt 限制 |
Ciss,Crss（Mi |