IGBT/二极管模块
实现理想的IGBT、GTO或MOSFET及反并联二极管
库
Simscape / Electrical / Specialized Power Systems / Power Electronics
描述
IGBT/二极管模块是IGBT（或GTO、MOSFET）/二极管对的简化模型，其中忽略了强制换流器件和二极管的正向导通压降。
参数
内阻 Ron
IGBT器件的内阻Ron，单位为欧姆(Ω)。默认值为1e-3。
缓冲电阻 Rs
缓冲电阻值，单位为欧姆(Ω)。默认值为1e5。将缓冲电阻 Rs参数设置为inf可从模型中移除缓冲电路。
缓冲电容 Cs
缓冲电容值，单位为法拉(F)。默认值为inf。将缓冲电容 Cs参数设置为0可移除缓冲电路，设置为inf可获得纯电阻缓冲电路。
显示测量端口
若勾选此项，将为模块添加Simulink输出端口，返回二极管IGBT的电流和电压值。默认已勾选。
输入与输出
g
用于控制IGBT通断的Simulink信号。
m
模块的Simulink输出是一个包含两个信号的向量。可通过Simulink库中的总线选择器模块对这些信号进行解复用。
| 信号 | 定义 | 单位 |
|---|---|---|
| 1 | IGBT/二极管电流 | A |
| 2 | IGBT/二极管电压 | V |
假设与限制
IGBT/二极管模块实现了真实IGBT和二极管器件的宏观模型。它既未考虑器件的几何结构，也未涉及复杂的物理过程[1]。
除非使用其缓冲电路，否则IGBT/二极管模块不得与电感器、电流源或开路串联连接。
另请参阅
IGBT、二极管
版本历史
发布于R2006a