安海 ADA080N120 碳化硅MOSFET 技术简析

ADA080N120 是安海半导体推出的 800V N沟道SiC功率MOSFET，TO-220F封装，主打低损耗、高可靠。

其典型RDS(ON)仅120mΩ，Qg仅15.3nC，开关速度快且反向恢复特性优异，大幅降低硬开关损耗与EMI压力。在25℃下连续电流19A，100℃下仍可维持13.5A输出，结壳热阻低至1.98℃/W，最高结温175℃，适配高温工况。

适合用于AC-DC快充、光伏微逆、电池充电机等高频开关电源场景，兼顾效率与成本，是中高功率密度方案的优选器件。