CS3106 双节电池均衡芯片技术文档
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ChipstarMicro-electronics上海智浦欣微电子有限公司
电气参数（T=25℃，L=1μH，C=C=10μF， ） A BOT TOPunless otherwise specified
参数 描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源参数
ISUPP LY 工作电源 电流 EN is Hig h，VBATP =8V，
均衡模式无开关动作 700 uA
IQ 静态电流 EN is Hig h，VBATP =8V，
VBATP -VBATC =VBATC -VBATN 2 uA
ISD 关断电流 EN is Low ，VBATP =8V 1 uA
VBATP BATP工作电压 10 V
VBATC BATC工作电压 5 V
VUVLO 欠压锁定阈值 VBATP Rising 3.75 V
VUVLO_HYS 欠压锁定阈值 迟滞 200 mV
检测参数
TSLEEP 检测间隔 时间 芯片 在TSLEEP 时间内 ，
处于休眠状态 2 s
TALLOW 不平衡检测确认 时间 进入检测状态后，不平衡状
态持续 TALLOW 后才被确认 3.85 ms
TCHECK 最大不平衡检测 时间 若TCHECK 时间 内未检测到不
平衡， 芯片 回到休眠模式 7.68 ms
TDONE 完成时间 进入休眠模式前的
最大无开关 时间 62 ms
VKICK 不平衡检测阈值 仅当 OVP> VBATP >VUVLO ，且
两节电池压差达到 VKICK
时，才启动均衡 50 mV
VERROR 均衡精度 均衡完成后 ，
两节电池的电压误差 -30 30 mV Copyright@Chipstar Microelectronics page5 www .chipstar -ic.com Mar, 2026 Rev.1.0CS3106T
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电气参数（T=25℃，L=1μH，C=C=10μF， ） A BOT TOPunless otherwise specified
参数 描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
均衡控制参数
FREQ 开关频率 PWM 时钟 1 MHz
VISET 正常模式 ISET脚电压 V(BATP-BATC )>VTOP_PRECOND &
V(BATC -BATN )>VBOT_PRECOND 1 V
VISET_PRE 预调节模式 ISET 脚电压 V(BATP-BATC ) V(BATC-BATN) 4.5 A
IBOT_I LIM 下节电池驱动电流限制 向上均衡模式 :
V(BATP-BATC ) < V(BATC-BATN) 4.5 A Copyright@Chipstar Microelectronics page6 www .chipstar -ic.com Mar, 2026 Rev.1.0CS3106T
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电气参数（T=25℃，L=1μH，C=C=10μF， ） A BOT TOPunless otherwise specified
参数 描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
逻辑参数
VIL EN低电平阈值 0.4 V
VIH EN高电平阈值 1.2 V
VOL STAT低电平有效电压 ISTAT =5mA 0.4 V
热关断参数
TSD 热关断阈值 160 ℃
TSD_H Y 热关断迟滞 30 ℃ 典型特征曲线（T=25℃， ） Aunless otherwise specifiedIq (uA)
Vbatp (V)Iq Vs . Vbatp
Shutdown
StandbyVtop=Vbot
Inductor Current (A)
R (KΩ) ISETInductor Current Vs. RISET
UP: Vbot=4.2V Vtop=3V
DOWN: Vbot=3V Vtop=4.2V
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
02.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0Ibat (mA)
Vtop (V)Ibat Vs . Vtop
Ibot
ItopUP, R=50K, ISETVbot=4.4V
Vbot (mV)Ibat Vs . Vbot
Itop
IbotDOWN: R=50K, Vtop=4.4V ISET700
600
500
400
300
200
100
0
Ibat (mA)700
600
500
400
300
200
100
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
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