DIO32321 低功耗 USB2.0 高速开关技术文档

DIO32321 低功耗 USB2.0 高速开关

概述

DIO32321是一款低功耗、双SPDT 2端口高速模拟开关，針對高速（480Mbps）或全速（12Mbps）信号源切换进行优化。该芯片具有高通道间噪声隔离、低位到位偏移，适合高速差分信号传输，能在输出端保持良好的信号完整性。

该芯片D+/D-引脚具有特殊电路，在USB设备断电或上电时可承受最高5.5V电压。

关键特性

• 超高带宽：-3dB带宽 > 2.0GHz
• 宽电压范围：VCC工作电压 2.7V~5.5V
• 低导通电容：5pF（典型值）
• 低导通电阻：5.5Ω（典型值）
• 低功耗：1μA（最大值）
• 低ICC：0.5μA（典型值，VCNTRL=1.8V，VCC=3.6V）
• ESD防护：所有引脚 6kV HBM
• 保护功能：断电/上电保护，D+/D-耐压最高5.5V

应用场景

• 车载通信控制单元（Telematics Control Units）
• 汽车仪表盘显示
• 前后摄像头

封装信息

型号	封装	温度范围	包装
DIO32321MP10	MSOP-10	-40~85°C	Tape & Reel, 3000
DIO32321LP10	QFN 1.4×1.8-10	-40~85°C	Tape & Reel, 3000
DIO32321LN10	QFN 1.4×1.2-10	-40~85°C	Tape & Reel, 5000

引脚描述

引脚名称	描述
/OE	开关使能
Sel	开关选择
D+, D-	USB数据总线
HSD1±, HSD2±	复用信号输入

真值表

Sel	/OE	功能
X	H	断开
L	L	D+, D- = HSD1+, HSD1-
H	L	D+, D- = HSD2+, HSD2-

绝对最大额定值

符号	参数	最小值	最大值	单位
VCC	电源电压	-0.3	6.0	V
VCNTRL	控制输入电压（S, /OE）	-0.3	VCC	V
VSW	开关 I/O 电压	-0.3	6.0	V
VD+/D-	D+/D- DC电压	-0.3	9	V
IIK	输入二极管电流	-50	—	mA
IOUT	输出电流	—	50	mA
TSTG	存储温度	-65	150	°C

推荐工作条件

符号	参数	最小值	最大值	单位
VCC	电源电压	2.7	5.5	V
VCNTRL	控制输入电压（S, /OE）	0	VCC	V
VSW	开关 I/O 电压	0	5.5	V
TA	工作温度	-40	85	°C

直流电气特性

符号	参数	条件	VCC(V)	最小值	典型值	最大值	单位
VIH	输入高电平电压	—	2.7~5.5	0.85	—	—	V
VIL	输入低电平电压	—	2.7~5.5	—	—	0.35	V
IIN	控制输入漏电流	VSW=0~VCC	3.6	-1	—	1	μA
IOZ	关态漏电流	0≤Dn, HSD1±, HSD2±≤3.6V	3.6	-1	—	1	μA
IOFF	掉电漏电流	VSW=0V~3.6V, VCC=0V	—	-1	—	1	μA
RON	HS开关导通电阻	VSW=0.4V, ION=8mA	3.3	—	5.5	8	Ω
ΔRON	导通电阻偏差	VSW=0.4V, ION=8mA	3.3	—	0.1	—	Ω
ICC	静态电源电流	VCNTRL=0或VCC	3.6	—	0.4	1	μA
ICCT	ICC增量	VCNTRL=1.8V, VCC=3.6V	3.6	—	0.5	—	μA

交流电气特性

符号	参数	条件	VCC(V)	温度(°C)	最小值	典型值	最大值	单位
tON	导通时间	S,/OE到输出, RL=50Ω, CL=5pF	3.0~3.6	full	—	3.0	—	μs
tOFF	关断时间	S,/OE到输出, RL=50Ω, CL=5pF	3.0~3.6	full	—	14	—	ns
tPD	传播延迟	RL=50Ω, CL=5pF	3.3	25	—	0.25	—	ns
tBBM	断通时间	RL=50Ω, CL=5pF	3.0~3.6	25	—	12	28	ns
OIRR	关断隔离度	RL=50Ω, f=240MHz	3.0~3.6	25	—	-37	—	dB
Xtalk	相邻通道串扰	RL=50Ω, f=240MHz	3.0~3.6	25	—	-45	—	dB
BW	-3dB带宽	RL=50Ω, CL=0pF	3.0~3.6	25	—	2000	—	MHz
tSK(P)	输出偏移抖动	RL=50Ω, CL=5pF	3.0~3.6	full	—	20	—	ps

电容特性

符号	参数	条件	温度(°C)	典型值	最大值	单位
CIN	控制引脚输入电容	VCC=0V	25	1.2	—	pF
COND	D+/D-导通电容	VCC=3.3V, /OE=0V, f=240MHz	25	5	—	pF
COFF	HSD1±, HSD2±关断电容	VCC和/OE=3.3V	25	2	—	pF

注：原始文档为芯片数据手册，本文仅做技术参数整理与格式优化，不包含任何公司信息。