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【信息科学与工程学】计算机科学与自动化——第三十一篇 半导体晶圆制造01(3)

五、先进光刻与刻蚀结构扩展

5.21 计算光刻专用硬件加速结构

组件类别

组件名称

关键规格参数

工艺/设备

工作原理

性能指标

功能描述

技术挑战

技术规则

材料要求

精度要求

制造挑战

性能影响

光刻仿真专用集成电路

光学邻近效应修正处理单元

计算精度<0.1nm, 处理能力>10P OPC cell/s

定制化专用集成电路设计, 7nm/5nm工艺制造

将光刻仿真核心算法(如卷积, 快速傅里叶变换)固化于硬件, 实现超高能效比并行计算

能效比>100 TOPs/W, 为通用图形处理单元的10倍

加速全芯片光学邻近效应修正和逆光刻技术中耗时的光强计算

http://www.jsqmd.com/news/793418/

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